5月27日星期三，2020 / 2:00下午ET.
主持人：辛金·迪克森·沃伦
电力电子行业处于过渡时期。对于多年的基于硅的设备主导了该行业，具有用于较低功率和中频的传统SI MOSFET晶体管，具有超级接合（SJ）MOSFET器件用于更高的频率和更高的电压，并且IGBT用于高功率和高功率较低的频率。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是在过去十年内出现在市场上的较新的，宽的带隙（WBG）技术，其目的是取代这些硅技术。GaN，SIC和SJ MOSFET技术直接竞争650 V设备，目前尚不清楚哪种技术最终将在这种中间电压电平占据市场。
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）概念于1991年在明尼苏达州明尼阿波利斯的APA光学公司获得US5192987A专利。US 5192987 A是一项设备（或机器）专利。APA光学公司还申请了第二项方法（或工艺）专利US5296395A，该专利描述了GaN HEMT器件的制造。这些专利随后被重新分配给英飞凌。两项专利现在都已过期，因此这些概念属于公共领域。通过逆向工程和专利分析，我们已经在多个产品中确定了APA光学专利US5192987A的权利要求要素，包括来自GaN Systems、Navitas、Infineon、Panasonic、Efficient Power Conversion、ON Semi、Transphorm和Texas Instruments的产品。乐动篮球快讯
本次网络研讨会将回顾650V功率MOSFET生态系统和IP景观。我们将根据GaN-HEMT早期开创性专利讨论这些技术，展示逆向工程如何展示创新乐动篮球快讯
讨论将包括：
- 逆向工程的动机乐动篮球快讯
- 赣电景观
- GaN如何适应Si和SiC功率器件市场
- 早期赣IP
- 乐动篮球快讯逆向工程结果
- 从早期GaN-IP看RE结果分析
2020年5月27日星期三
下午2点ET.
持续时间1小时
关于主持人
专家谁将正在进行这个网络研讨会
辛金·狄克逊·沃伦
高级流程分析师
Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师，技术人员有超过20年的半导体分析经验，是一个主题专家（中小企业），用于电力电子分析。他在多伦多大学举行了化学物理学博士学位;他的一些特色包括半导体物理和器件，材料科学和表面分析化学。
