记忆Technology 2020 and Beyond
NAND、DRAM、新兴和嵌入式内存技术趋势
这个网络研讨会was presented by TechInsights
In this webinar, Dr. Jeongdong Choe will present his detailed review of the latest NAND, DRAM, emerging and embedded memory technologies, summarized from reverse engineering analysis compiled by TechInsights.
本演示文稿包括对几代内存技术的并排比较，并深入讨论最新发展，包括：
- DRAM CELL将下降到SUB-12 NM，具有用于DRAM CELL PATTERNING的EUV采用
- 图形DRAM和高带宽存储器，如GDDR6（X）和HMB2（E）
- 三星、SK-Hynix、KIOXIA、Western Digital、Intel/Micron等制造商竞相增加垂直3D与非门的数量
- An examination of 147-Layer technology from SK Hynix
- 英特尔对XPoint for SSD和英特尔Optane永久内存的扩展
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网络研讨会大纲。
在本次网络研讨会上，Choe Jeongdong博士将介绍他对最新DRAM、NAND、新兴和嵌入式内存技术的详细回顾，总结自TechInsights编制的逆向工程分析。乐动篮球快讯
以下各节概述了将要讨论的主题。
DRAM
DRAM单元缩小到15nm设计规则（D/R）及以上已经被主要的DRAM厂商如三星、美光和SK-hynix生产出来。现在，他们正在开发n+1代和n+2代，即所谓的1a（或1α）和1b（或1β），这意味着DRAM细胞D/R可以进一步缩小到亚12nm，并采用EUV进行DRAM细胞图案化。由于图形化、泄漏和传感裕度的挑战，单元设计缩小的速度越来越慢。
图形DRAM和高带宽存储器，如GDDR6（x）和HBM2（E）采用20nm或10 nm级DRAM技术节点。
智能手机上的摄像头模块通过在模块中添加低功耗DRAM芯片，实现了三模结构。
Some innovations such as higher-k dielectric materials, pillar capacitor, recess channel LV transistors and HKMG peripheral transistors can be seen in the advanced DRAM products.
展望DRAM技术趋势和研发路线图，DRAM的规模缩小将在未来10多年内继续进行。
与非门
作为主要的NAND制造商竞争增加垂直3D NAND门的数量，它们已经推出了自己的96L或128L 3D NAND设备。三星128L V-NAND（V6），Kioxia和Western Digital Company（WDC）96L BICS4，英特尔/微米96L / 128L和176L FG CUA，以及SK Hynix 128L 4D NAND PUC产品在市场上。我们将讨论在这个空间中的许多创新变化。
除了存储密度，3D NAND还应用于高速SSD，如三星Z-SSD和KIOXIA XL-FLASH，多平面并行。
SK Hynix已达到147个垂直盖茨;我们将看看他们的解决方案和微米。
嵌入式和新兴
英特尔扩展了XPoint内存应用程序，不仅适用于传统的SSD，也适用于Intel Optane持久内存，尽管目前Micron的X100 SSD仅适用于插件（AIC）。
许多新的PMTJ MRAM产品已从Everspin发布（3研发第二代，1Gb/芯片@28nm），雪崩/瑞萨（40nm）和三星/索尼（28FDS）。对话框（以前是Adesto）2n第二代ReRAM（CBRAM）产品也在市场上。
路线图
TechInsights也包含在本演示文稿中，它提供了当前和未来的DRAM、NAND和新兴/嵌入式内存技术分析、趋势和路线图—这些内容通常是为内存订户保留的。
Jeongdong Choe博士
Jeongdong Choe博士是TechInsights的高级技术研究员。他在半导体工业、DRAM、NAND/NOR闪存、SRAM/逻辑和新兴存储器的研发和逆向工程方面拥有近30年的经验。他为skhynix和三星电子工作了20多年。他加入了TechInsights，专注于半导体工乐动篮球快讯艺、器件和架构的技术分析。他写了许多关于内存技术的文章，包括DRAM技术趋势、2D和3D NAND工艺/设备集成细节，以及新兴内存，如STT-MRAM、XPoint、ReRAM和FeRAM设计与架构。他每季度制作和更新广泛分布的DRAM、NAND和新兴内存的内存路线图。
