网络研讨会:商用逻辑器件中的ALD/ALE过程

商用逻辑器件中的ALD/ALE工艺

2018年推出了新一代逻辑产品,其特点是finFET晶体管以英特尔(Intel)的10nm代微处理器为首,随后在年底推出TSMC和三星(Samsung)的7nm节点器件。

这篇关于原子层沉积/原子层刻蚀(ALD/ALE)工艺的报告探讨了我们在这些逻辑技术的发展过程中看到的一些不同的结构,特别是最新的7纳米和10纳米器件。本文还讨论了ALD/ALE技术在反求工程中的应用,强调了ALD/ALE工艺在先进逻辑器件中的重要性。在许多情况下,如果没有ALD/ALE的实施,这项技术就无法进步。乐动篮球快讯

rajesh krishnamurthy

rajesh krishnamurthy

高级分析师

rajeshkrishnamurthy是总部位于加拿大渥太华的逆向工程公司TechInsights的高级分析师。TechInsights分析了各种各样的设备,为Raj乐动篮球快讯esh提供了一个独特的概述,让他了解了哪些技术能够进入半导体生产的真实世界。

拉杰什于1998年毕业于加拿大安大略省伦敦大学,获材料工程博士学位。拉杰什拥有20多年的分析员工作经验,专注于半导体工艺开发,以及半导体材料和器件的研发。他于2006年加入TechInsights团队。

网络研讨会现在是点播

2020年8月26日星期三。。。

网络研讨会
  • 上午11点太平洋
  • 中午12点中心
  • 下午1点山地
  • 东部时间下午2点

商用逻辑器件在线研讨会中的ALD/ALE过程

本次网络研讨会于2020年8月26日举行

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