由于储存,移动和充气市场的内存筹码的强劲和日益增长的需求,所有记忆力播放器都在努力提高密度/性能,降低制造成本,并为每一代开发新的创新技术。TechInsights已经追踪和挖掘它们,包括DRAM,NAND闪存和新兴内存设备的技术趋势和创新过程/设计更改,如STT-MRAM,RERAM,FERAM和3D XPoint内存。我们将概述并在网络研讨会上讨论它们。
目前,三星、美光、SK海力士等主要企业已经将D/R缩小到15纳米以下。他们已经开发了n+1和n+2代,也就是所谓的1b(或1β)和1c(或1γ),这意味着DRAM电池的D/R可以进一步缩小到12纳米或以上,无论是否采用EUV,用于DRAM电池模式。由于过程完整性、成本、电池泄漏、电容、刷新管理和传感边际等关键挑战,电池扩展变得越来越慢。一些创新的技术,如高介电材料,柱状电容器工艺,凹槽沟道晶体管和HKMG的采用,可以从先进的DRAM单元设计中看到。此外,3D DRAM、高带宽内存(HBM3)、图形DRAM (GDDR6X/7)和嵌入式DRAM (10nm/7nm)技术将延长DRAM的寿命和应用。
各大NAND厂商竞相增加垂直3D NAND门的数量,三星V7 V-NAND、KIOXIA、Western Digital Company (WDC) BiCS6、Micron 2nd gen. CTF CuA、SK Hynix 2等都推出了1yyL 3D NAND设备nd根本。4D PUC NAND。除了存储密度之外,3D NAND原型用于超低延迟NAND应用程序(分类为存储类存储器),例如三星Z-SSD和Kioxia XL-Flash。3D NAND位密度达到10.8 GB / mm2(SK Hynix 176L 512GB TLC)和12.8 GB / mm2(英特尔144L 3层QLC)。YMTC 128L Xtacking产品即将面世。
英特尔不仅为传统的SSD扩展XPoint Memory应用程序,还扩展了DCPMM持久存储器。英特尔Optane.TM值P5800X SSD产品使用具有四堆栈PCM / OTS细胞结构的第二代XPoint Memory技术。Everspin第3代独立256MBSTT-MRAM(PMTJ)和1GB STT-MRAM,三星和索尼新的28nm Estt MRAM(PMTJ),雪崩Estt MRAM(PMTJ),带40nm节点,对话半导体(旧的Adesto Technologies)2nd生成CBRAM,富士通45nm勒克兰130nm Feram产品已在2020年和2021年市场释放。