由于储存，移动和充气市场的内存筹码的强劲和日益增长的需求，所有记忆力播放器都在努力提高密度/性能，降低制造成本，并为每一代开发新的创新技术。TechInsights已经追踪和挖掘它们，包括DRAM，NAND闪存和新兴内存设备的技术趋势和创新过程/设计更改，如STT-MRAM，RERAM，FERAM和3D XPoint内存。我们将概述并在网络研讨会上讨论它们。
目前，三星、美光、SK海力士等主要企业已经将D/R缩小到15纳米以下。他们已经开发了n+1和n+2代，也就是所谓的1b(或1β)和1c(或1γ)，这意味着DRAM电池的D/R可以进一步缩小到12纳米或以上，无论是否采用EUV，用于DRAM电池模式。由于过程完整性、成本、电池泄漏、电容、刷新管理和传感边际等关键挑战，电池扩展变得越来越慢。一些创新的技术，如高介电材料，柱状电容器工艺，凹槽沟道晶体管和HKMG的采用，可以从先进的DRAM单元设计中看到。此外，3D DRAM、高带宽内存(HBM3)、图形DRAM (GDDR6X/7)和嵌入式DRAM (10nm/7nm)技术将延长DRAM的寿命和应用。
各大NAND厂商竞相增加垂直3D NAND门的数量，三星V7 V-NAND、KIOXIA、Western Digital Company (WDC) BiCS6、Micron 2nd gen. CTF CuA、SK Hynix 2等都推出了1yyL 3D NAND设备nd根本。4D PUC NAND。除了存储密度之外，3D NAND原型用于超低延迟NAND应用程序（分类为存储类存储器），例如三星Z-SSD和Kioxia XL-Flash。3D NAND位密度达到10.8 GB / mm2（SK Hynix 176L 512GB TLC）和12.8 GB / mm2(英特尔144L 3层QLC)。YMTC 128L Xtacking产品即将面世。
英特尔不仅为传统的SSD扩展XPoint Memory应用程序，还扩展了DCPMM持久存储器。英特尔Optane.TM值P5800X SSD产品使用具有四堆栈PCM / OTS细胞结构的第二代XPoint Memory技术。Everspin第3代独立256MBSTT-MRAM（PMTJ）和1GB STT-MRAM，三星和索尼新的28nm Estt MRAM（PMTJ），雪崩Estt MRAM（PMTJ），带40nm节点，对话半导体（旧的Adesto Technologies）2nd生成CBRAM，富士通45nm勒克兰130nm Feram产品已在2020年和2021年市场释放。
