存储器过程和集成的挑战:DRAM和NAND
在本次内存网络研讨会上，Jeongdong Choe博士概述并讨论了最新的内存技术趋势和挑战，重点是DRAM和NAND器件。
DRAM电池缩小到10纳米设计规则(D/R)是一个持续的发展。主要DRAM厂商一直在开发所谓的D1b、D1c等下一代DRAM。这意味着DRAM电池的D/R可能会进一步缩小到个位数纳米时代。最近，由于工艺集成、泄漏和传感裕度等多重挑战，DRAM单元的扩展速度已经放缓。在最先进的DRAM产品中，可以看到诸如高k电容介电材料、柱状电容器、隐窝通道晶体管和HKMG外围晶体管等创新技术。
在NAND领域，制造商继续向3D NAND垂直门数竞争，以提高存储密度。他们已经计划了下一代3D NAND产品，包括232L/238L，甚至更高到4xxL甚至8xxL。到目前为止，5种不同类型的3D NAND架构是主流，如V-NAND、bic、CuA、4D PUC和xtack。
关于演讲者
崔正东博士他是techhinsights的高级技术研究员。他在半导体行业拥有超过30年的实践经验，在DRAM, NAND/NOR FLASH, SRAM/逻辑和新兴存储设备(如MRAM/STT-MRAM, PCRAM, XP乐动篮球快讯oint, ReRAM和FeRAM)的研发和逆向工程分析方面拥有丰富的经验。崔博士在SK海力士和三星电子工作了20多年。他在高科技领域拥有制造和研发专业知识，包括在半导体工艺流程、工艺集成、单元工艺和光掩模、光刻、等离子体/湿刻蚀、CMP、沉积、植入、扩散和退火等工具方面的直接经验。
加入TechInsights后，Choe博士专注于技术、设备和架构设计分析。他定期发表有关半导体技术趋势和路线图的文章。他还在TechInsights线上/线下研讨会和全球会议上发表年度存储器研讨会、存储器技术更新、主题演讲和演讲。
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