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最近的新闻和博客

颠覆性技术：TSMC 22ULL​​ EMRAM

颠覆性技术：TSMC 22ULL​​ EMRAM

TSMC 22ULL​​ EMRAM DIA从Ambiq™Apollo4上取出另一个嵌入式内存中的另一个中断技术！嵌入式内存（Ememory）的另一个破坏性产品已到达并快速审查！台积电已成功开发和商业化22纳米
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26. 八月
按需网络研讨会:USB-C电源适配器中GaN技术方法的比较

按需网络研讨会:USB-C电源适配器中GaN技术方法的比较

氮化镓(GaN)在适配器和其他电源产品的效率方面提供了引人关注的优势，但要实现这些效率，则需要
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20. 八月
明智之举:渥太华的TechInsights收购了总部位于圣何塞的市场研究公司VLSI

明智之举:渥太华的TechInsights收购了总部位于圣何塞的市场研究公司VLSI

一家渥太华公司，提供全球半导体巨头的详细故障，他们的竞争对手的技术工程如何与领先的硅谷市场研究公司联系，因为它看起来要扩大其企业智力技能。
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19. 八月
TechInsights和VLSI研究

TechInsights和VLSIresearch加入武力

创新决策加速：TechInsights收购VLSIresearch TechInsights很高兴地宣布收购VLSI研究公司，屡获殊荣的市场研究和经济分析提供商涵盖半导体供应
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16. 八月
Micron 176L 3D NAND

Micron 176L 3D NAND

NAND内存技术美光B47R 3D CTF CuA NAND芯片，世界首款176L (195T)!美光176L 3D NAND闪存是全球首款176L 3D NAND闪存。TechInsights刚刚发现了512Gb 176L芯片(B47R芯片标记)，并迅速查看了其生产过程
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13. 八月
最新SJ-MOSFET技术

最新的SJ-MOSFET技术，还能与宽频带竞争吗?

功率半导体技术最新的SJ-MOSFET技术，它仍然可以竞争宽带隙吗？现在都是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）产品在市场上产生影响，很容易认为不再存在
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06. 八月
Micron DDR5 DIMM技术

Micron DDR5 DIMM技术

DRAM内存技术中断产品：第1个DDR5 DIMM哪个技术节点？DDR5是一个新一代的记忆！所有主要的DRAM播放器都向前移动到更快的DRAM DDR5。DDR5可提高电源管理（DDR4的1.1V与1.2V）为
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29. 七月
细节

Micron1αDRAM技术

DRAM记忆技术微米D1α，'14 nm'！DRAM上最先进的节点！D1α！这是14纳米！在微米D1α模具（模具标记：Z41C）和细胞设计上快速查看后，它是德拉姆中最先进的技术节点。此外，这是第一个
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08. 七月
细节

EUV光纤机争夺战，升级！（EUV光刻机战斗，升级！）

EUV光刻机的战斗逐渐加剧。
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08. 七月
细节

TechInsights 2021年网络研讨会的内存技术亮点

来自TechInsights的内存技术亮点2021个网络研讨会注册，由于存储，手机和AIOT市场的内存筹码的强大和日益增长的需求，所有记忆播放器都努力提高密度/性能
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29. 君
iPad Pro显示

Apple包进入iPad Pro多少迷你LED？

苹果在iPad Pro里装了多少个迷你led灯?注:本文更新了我们在TechInsights上较长的文章的显示部分
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28. 君
细节

电动汽车技术网络研讨会：从市场到半导体的深入分析

电动汽车技术网络研讨会从市场到半导体寄存器的深入分析，以观看按需朝着绿色能源的全球驱动正在加速。十年前，电动汽车（EVS）是一个较少的新奇
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15. 君
细节

英特尔第二代XPoint Memory

这里嵌入式和新兴的内存技术，我们有英特尔第二局。XPoint Memory Die！最后，我们发现英特尔XPOINTTM记忆第二代DIE！我们很快查看了从英特尔Optanetm SSD DC P5800x 400GB中取出的模具（型号
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03. 君
拆毁：Apple iPhone 12 Pro Max 5G

拆毁：Apple iPhone 12 Pro Max 5G

Electronics360新闻咨询台：以下是一部分深入潜入Apple iPhone 12 Pro Max 5G智能手机的拆除。
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25. 可能
iPad Pro拆卸

Apple iPad Pro拆除

Teardown Technology Stacy Wegner，Daniel Yang，Ziad Shukri Apple于4月20日推出了新的iPad Pro（2021），继续将Apple M1 CPU扩展到他们流行的iPad Pro产品线。Apple设计的M1芯片开始取代英特尔
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24. 可能
索尼IMX990.

Sony-IMX990 / IMX991的突破性Senswir传感器

2020年，索尼发布了IMX990和IMX991 SenSWIR图像传感器，分辨率分别为1.34 MP和0.34 MP。通过远离像素级的凹凸键
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19. 可能
细节

网络研讨会：电力革命 - 在电力管理技术中的创新和知识产权

随着社会致力于通过降低功耗和能源消耗来减少我们的能源足迹，与能源和能源消耗相关的创新是一个越来越热门的话题
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11. 可能
苹果Homepod迷你拆卸

苹果Homepod迷你拆卸

5月5日，2021泪液技术快速看苹果主页迷你设计获胜，但有一个秘密部门等待血统吗？Apple HomePod Mini A2374是一个带Siri助手的语音交互式智能音箱。它有四个
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05. 可能
细节

英特尔第二代XPoint内存

4月30日，2021年4月博士博士博士第二代Xpoint记忆 - 值得一直很长的等待进展吗？2017年，TechInsights分析了英特尔第一Gen的细节。xpoint内存（Optanetm存储器16GB，MEMPEK1W016GA）包括结构
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30. 4月
高通公司延长了他们的MMWAVE领导地位

高通公司延长了他们的MMWAVE领导地位

4月21日，2021年4月21日凯尔·诺兰高通公司延伸他们的MMWAVE领导地位5G MMWAVE仍远非全世界采用，但高通仍然在踏板上留在踏板上。没有人尾巴真的很近。高通公司的SR.董事之一
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21. 4月
三星D1Z LPDDR5 DRAM与EUV光刻（EUVL）

三星D1Z LPDDR5 DRAM与EUV光刻（EUVL） - 内存博客

2021年4月16日博士博士最初发表在三星D1Z LPDDR5 DRAM上，最后是EUV光刻（EUVL）！经过几个月的等待，我们已经看到三星电子应用极端紫外线（EUV）光刻技术为D1Z DRAM
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16. 4月
全球首个1gb 28nm STT-MRAM产品- Everspin

全球首个1gb 28nm STT-MRAM产品- Everspin

三月ch 30, 2021 Embedded & Emerging Memory World’s First 1 Gb 28 nm STT-MRAM Product - by Everspin Everspin’s new 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory (STT-MRAM) device with a 28 nm process is the world’s first 1
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31. 三月
细节

TechInsights通过投资组合分析确定BlackBerry的最高价值专利资产

2021年3月23日，Abdullah Rahal TechInsights通过投资组合分析确定了一些BlackBerry的最高价值专利资产下载TechInsights的分析师研究了BlackBerry专利组合并分区了
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23. 三月
Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用

Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用

2021年3月23日，2021年3月23日博士用于超低延迟NAND应用的新XL-Flash我们已经发现了一个新的XL-Flash产品，具有来自Kioxia的96L Bics4 NAND Cell架构。根据Kioxia的说法，XL-Flash非常低延迟，高
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23. 三月
细节

动态视觉传感器 - 简要概述 - 图像传感器Techstream博客

3月16日，2021年ZIAD Shukri动态视觉传感器 - 简要概述动态响无常传感器是异步成像仪。与人眼一样，它们旨在响应亮度的变化，没有“框架”才能捕获。DVS，个人
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18. 三月
高级1 GB 28 NM STT-MRAM产品，来自Everspin Technologies

高级1 GB 28 NM STT-MRAM产品，来自Everspin Technologies

三月ch 16, 2021 Dr. Jeongdong Choe Advanced 1 Gb 28 nm STT-MRAM products from Everspin Technologies We’ve been waiting for a long time to see the technology details of Everspin’s new stand-alone 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive
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16. 三月
细节

一个新的和先进的ReRAM来自富士通

2021年3月9日，富士通博士博士博士从富士通进行了新的和先进的雷兰克兰，我们一直在富士通半导体分析新的RERAM产品。富士通8 MB MB85AS8MT是世界上最大的密度，作为独立的批量生产的Reram产品。这
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11. 三月
2021年GaN USB-C充电器市场升温

2021年GaN USB-C充电器市场升温

用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的基于氮化镓(GaN)的高功率USB充电器是电力电子市场上一个不断增长的领域。TechInsights
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10. 三月
商业高压碳化硅器件的前景

商业高压碳化硅器件的前景 - 摘要

SiC功率器件具有达到额定电压超过30 kV的潜力，但今天，SiC芯片制造商关注的重点是
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03. 三月
网络研讨会:选定的成像和传感器趋势和比较

网络研讨会:选定的成像和传感器趋势和比较

3月3日，2021年图像传感器技术网络研讨会：选定的成像器和传感器趋势和比较现在按需！本网络研讨会的目的是从我们的2020个图像传感器设备Essentials（DEF）订阅年度共享所选内容
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03. 三月
LIDAR 101.

激光雷达101 -固态和机械激光雷达

对于激光雷达制造商来说，2020年是激动人心的一年。5家激光雷达公司(Velodyne Inc、Luminar Technologies Inc、Innoviz Technologies Ltd、Aeva Inc和Ouster)
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19. 2月
网络研讨会

网络研讨会：为电动车（EV）革命而准备

全球对绿色能源的追求正在加速。10年前，电动汽车(ev)是一种新兴的汽车
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03. 2月
高通Snapdragon 888

Xiaomi Mi 11中的高通Snapdragon 888为市场带来了一个新的5纳米进入

2月03日，2021年2月逻辑破坏性技术下载简短的Qualcomm Snapdragon 888在Xiaomi Mi 11带来了一个新的5纳米进入市场，释放了Snapdragon 888，高通公司在竞争中与其他5纳米产品发布
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03. 2月
支持半导体行业的知识产权战略

支持半导体行业的知识产权战略

支持在半导体行业中的IP策略越来越复杂，芯片市场的复杂性使其比以往任何时候都更加困难，以监测发展，使逆向工程成为一个关键的过程反向的宽度乐动篮球快讯
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27. 1月
索尼D-TOF传感器在Apple的新Lidar相机中找到

索尼D-TOF传感器在Apple的新Lidar相机中找到

1月19日，2021年图像传感器中断技术索尼D-TOF传感器在苹果新的LIDAR Camera Apple的Lidar相机中首次观察到2020年代的iPad Pro;正如预期的那样，我们在10月份看到了iPhone 12 Pro中使用的相同部分。行业
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19. 1月
ipwatchdog.

网络研讨会：汽车供应链中半导体IP的值增加

当今汽车供应链中的半导体IP增加，汽车不仅仅是运输设备。汽车是具有娱乐系统的热点，最先进的通信能力，以及最前沿
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17. 12月
拆除：Velodene Lidar Puck VLP-16传感器

拆除：Velodene Lidar Puck VLP-16传感器（电子技术360）

深入潜入光检测和测距技术中使用的主要部件。张贴在电子360中。
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14. 12月
USB-C电源传输适配器中的新兴GaN技术

网络研讨会：USB-C电源交换机中的新兴GaN技术

在USB-C电力交付适配器中的新兴GaN技术此次活动由Sinjin Dixon-Warren＆TechInsights电源适配器提供USB连接在现代生活中无处不在。我们使用的精彩移动设备需要定期连接
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09. 12月
3D闪存，176层！

3D闪存，176层！

到目前为止，NAND闪存已经进入了白热化阶段。不久前，存储厂商还在128层的闪存高平台上“看风景”。
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09. 12月
Memory Technology 2020 and Beyond

网络研讨会：内存技术2020及以外 - NAND，DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势

本次网络研讨会由TechInsights主办。在本次网络研讨会上，崔正东博士将详细介绍最新的NAND、DRAM、新兴和嵌入式存储技术
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02. 12月
网络研讨会：审查Apple iPhone 12的技术和财务影响

网络研讨会：审查Apple iPhone 12的技术和财务影响

考察苹果iPhone 12的技术和财务影响本文由TechInsights介绍了TechInsights和Bloomberg Intelligence分析师，因为它们分享了对苹果最多的技术和财务见解
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10. 11月
微载荷及其对器件性能的影响

微载荷及其对器件性能的影响

如何使用SEMulator3D来研究先进DRAM过程中的微加载和制造可变性，该过程呈现出一个摆动的AA轮廓。
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02. 11月
网络研讨会:商用存储设备ALD/ALE过程

网络研讨会:商用存储设备ALD/ALE过程

商业上可用的存储器设备中的ALD / ALE进程2018 SAVE MEMORT产品制造商SAMSUNG，HYNIX，TOSHIBA和MICRON引入64或72堆叠的层3D-NAND器件，并进入1倍一代DRAM设备。这个演示会将
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28. 10月
iphone相机历史：iphone 12的替代和正常

iphone相机历史：iphone 12的替代和正常

iPhone相机的进化历史也可以被视为手机开发的历史，即使iPhone没有完全遵循CIS技术趋势的推进。只是借此机会，还要通过最后一次
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21. 10月
网络研讨会:空间、电源、光束——缩短在5G芯片设计和制造方面取得优势的路途

网络研讨会：空间，电源，梁 - 缩短艰苦跋涉，以获得5G收发器设计和制造的边缘

空间，动力，梁缩短艰巨，以获得5g收发器设计的边缘，移动射频景观已经变得更具竞争力，引进了5克，辅以相关创新旨在解决各种各样的创新
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23. 九月
SK Hynix 128L 3D PUC NAND

SK Hynix 128L 3D PUC NAND（4D NAND）

SK Hynix发布了世界上第一个128层（128L）3D NAND，他们已被称为4D NAND。这是他们在单元（PUC）架构下的外围建造的第二个NAND一代;第一个是他们的96L NAND。在PUC架构中，外围设备
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14. 九月
网络研讨会：市售逻辑设备中的ALD / ALE过程

网络研讨会：市售逻辑设备中的ALD / ALE过程

商业上可用逻辑设备中的ALD / ALE进程2018的推出了一种新一代逻辑产品，以其10nm代微处理器的英特尔为单行，其次是TSMC和三星朝向的FinFET晶体管。
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26. 八月
定为半导体行业的60年及其变化的专利战略

60年的半导体行业及其改变专利战略

今天的半导体行业是一个年销售收入超过4000亿美元的庞然大物。在60多年的历史中，这个成熟的行业已经尝试了集成器件等多种型号
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04. 八月
Apple iPhone 11 Pro Teardowns看起来鼓励Stmicro和Sony

Apple iPhone 11 Pro Teardowns看起来鼓励Stmicro和Sony

STMicroelectronics and Sony似乎可以为Apple的最新旗舰iPhone提供四个筹码。许多其他历史的iPhone供应商也在最新的拆除时出现。
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26. 九月
特斯拉准备将Maxwell的干电极创新应用于电池细胞制造

特斯拉准备将麦克斯韦的干电极创新应用于电池制造

发布时间：2019年2月7日贡献作者：Marty Bijman和Jim Hines图1 - 特斯拉的投资组合，包括Maxwell和Solarcity收购图2 - Tesla Portfolio Landscapes，显示了哪些发明起源于特斯拉，孤主性，以及
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07. 2月
https://www.ipwatchdog.com/2018/06/20/creating-better-applications-patent-strengthing/id = 98439/

通过专利强化创造更好的应用乐动体育博彩下载

乐动体育博彩下载专利加强是我们用来指的术语，以指在检察机会期间从专利期间实现最大的价值潜力 - 在甚至被授予专利之前。
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20. 君
优步的专利版图是什么样的?

优步的专利版图是什么样的?

发布时间：2018年2月27日贡献作者：Marty Bijman最近，Iam的Timothy Au发布了一篇博客，提供了外观优步的投资组合。博客参考了优步的投资组合化妆，并在过去5年中提供了他们的IP事件的编年史
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27. 2月
新冠肺炎

新冠肺炎

我们一直密切监测Covid-19最近几周的进度，定期更新我们的旅行和运营政策，包括我们选择实施的越来越严格的限制。我们的优先事项是确保持续的健康状况
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04. 三月