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最近的新闻和博客

颠覆性技术：TSMC 22ULL​​ EMRAM

颠覆性技术：TSMC 22ULL​​ EMRAM

台积电22ULL eMRAM模具从Ambiq移除™ 阿波罗4嵌入式内存上的另一项颠覆性技术！另一款颠覆性的嵌入式内存产品（eMemory）已经面世，并得到了快速审查！台积电已成功开发和商业化22纳米
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26. 八月
BITE大小的网络研讨会按需：USB-C电源适配器中GAN技术方法的比较

BITE大小的网络研讨会按需：USB-C电源适配器中GAN技术方法的比较

咬合的网络研讨会按需：USB-C功率适配器中GaN技术方法的比较氮化镓（GaN）在适配器和其他电源产品的效率方面提供了令人信服的优势，但实现了这些效率
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20. 八月
智能举措：渥太华的TechInsights收购了基于圣何塞的市场研究公司VLSI

智能举措：渥太华的TechInsights收购了基于圣何塞的市场研究公司VLSI

渥太华一家为全球半导体巨头提供竞争对手技术运作细节的公司与硅谷一家领先的市场研究公司联手，希望扩大其企业智能技能。
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19. 八月
TechInsights与VLSI研究

TechInsights和VLSIresearch加入武力

创新决策加速：TechInsights收购VLSIresearch TechInsights很高兴地宣布收购VLSI研究公司，屡获殊荣的市场研究和经济分析提供商涵盖半导体供应
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16. 八月
Micron 176L 3D NAND

Micron 176L 3D NAND

NAND记忆技术微米B47R 3D CTF CUA NAND DIE，世界上第一个176L（195T）！Micron的176L 3D NAND是世界上第一个176L 3D NAND闪存。TechInsights刚刚发现512GB 176L模具（B47R模具标记）并快速查看了其过程
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13. 八月
最新的SJ-MOSFET技术

最新的SJ-MOSFET技术，它仍然可以竞争宽带隙吗？

电力半导体技术最新的SJ-MOSFET技术，它仍然可以竞争宽带隙吗？现在都是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）产品在市场上产生影响，很容易认为不再存在
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06. 八月
微米DDR5 DIMM技术

微米DDR5 DIMM技术

DRAM内存技术中断产品：第1个DDR5 DIMM哪个技术节点？DDR5是一个新一代的记忆！所有主要的DRAM播放器都向前移动到更快的DRAM DDR5。DDR5可提高电源管理（DDR4的1.1V与1.2V）为
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29. 七月
细节

Micron1αDRAM技术

DRAM记忆技术微米D1α，'14 nm'！DRAM上最先进的节点！D1α！这是14纳米！在微米D1α模具（模具标记：Z41C）和细胞设计上快速查看后，它是德拉姆中最先进的技术节点。此外，这是第一个
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08. 七月
细节

EUV光纤机争夺战，升级！（EUV光刻机战斗，升级！）

EUV光刻机的战斗逐渐加剧。
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08. 七月
细节

记忆技术从TechInsights 2021网络研讨会亮点

来自TechInsights的内存技术亮点2021个网络研讨会注册，由于存储，手机和AIOT市场的内存筹码的强大和日益增长的需求，所有记忆播放器都努力提高密度/性能
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29. 君
iPad Pro显示

Apple包进入iPad Pro多少迷你LED？

拆迁技术Stacy Wegner将Apple包进入iPad Pro的多少迷你LED？深入看液体视网膜XDR显示屏注意：本文为TechInsights的Lifter文章的显示部分提供了更新
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28. 君
细节

电动汽车技术网络研讨会：从市场到半导体的深入分析

电动汽车技术网络研讨会从市场到半导体寄存器的深入分析，以观看按需朝着绿色能源的全球驱动正在加速。十年前，电动汽车（EVS）是一个较少的新奇
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15. 君
细节

英特尔第二代XPoint Memory

这里嵌入式和新兴的内存技术，我们有英特尔第二局。XPoint Memory Die！最后，我们发现英特尔XPOINTTM记忆第二代DIE！我们很快查看了从英特尔Optanetm SSD DC P5800x 400GB中取出的模具（型号
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03. 君
拆毁：Apple iPhone 12 Pro Max 5G

拆毁：Apple iPhone 12 Pro Max 5G

Electronics360新闻咨询台：以下是一部分深入潜入Apple iPhone 12 Pro Max 5G智能手机的拆除。
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25. 也许
iPad Pro拆毁

Apple iPad Pro拆除

拆卸技术Stacy Wegner、Daniel Yang、Ziad Shukri苹果公司于4月20日推出了新的iPad Pro（2021），继续将苹果M1 CPU扩展到其广受欢迎的iPad Pro产品线。苹果设计的M1芯片开始取代英特尔
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24. 也许
索尼IMX990

Sony-IMX990 / IMX991的突破性Senswir传感器

图像传感器技术索尼 - IMX990 / IMX991索尼的突破性Senswir传感器分别宣布了2020年的IMX990和IMX991 Senswir成像，分别为1.34 MP和0.34 MP分辨率。通过远离像素级凸块焊接并采取
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19. 也许
细节

网络研讨会：电力革命 - 在电力管理技术中的创新和知识产权

网络研讨会电力革命：电力管理技术的创新和知识产权与电力和功耗有关的创新是一个越来越热的主题，因为社会通过降低功耗和功耗来减少电力足迹
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11. 也许
Apple Homepod Mini拆除

Apple Homepod Mini拆除

5月5日，2021泪液技术快速看苹果主页迷你设计获胜，但有一个秘密部门等待血统吗？Apple HomePod Mini A2374是一个带Siri助手的语音交互式智能音箱。它有四个
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05. 也许
细节

英特尔的第2代XPoint内存

4月30日，2021年4月博士博士博士第二代Xpoint记忆 - 值得一直很长的等待进展吗？2017年，TechInsights分析了英特尔第一Gen的细节。xpoint内存（Optanetm存储器16GB，MEMPEK1W016GA）包括结构
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30. 4月
高通公司扩大其mmWave的领导地位

高通公司扩大其mmWave的领导地位

4月21日，2021年4月21日凯尔·诺兰高通公司延伸他们的MMWAVE领导地位5G MMWAVE仍远非全世界采用，但高通仍然在踏板上留在踏板上。没有人尾巴真的很近。高通公司的SR.董事之一
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21. 4月
三星D1Z LPDDR5 DRAM与EUV光刻（EUVL）

三星D1z LPDDR5 DRAM带EUV光刻（EUVL）-内存博客

2021年4月16日Choongdong博士最初发表在三星D1z LPDDR5 DRAM上，最终采用EUV光刻（EUVL）技术！经过数月的等待，我们终于看到三星电子在2010年为D1z DRAM应用了极紫外（EUV）光刻技术
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16. 4月
世界上第一个1 GB 28 NM STT-MRAM产品 - 通过everspin

世界上第一个1 GB 28 NM STT-MRAM产品 - 通过everspin

破坏ch 30, 2021 Embedded & Emerging Memory World’s First 1 Gb 28 nm STT-MRAM Product - by Everspin Everspin’s new 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory (STT-MRAM) device with a 28 nm process is the world’s first 1
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31. 破坏
细节

TechInsights通过投资组合分析确定了一些黑莓价值最高的专利资产

2021年3月23日，Abdullah Rahal TechInsights通过投资组合分析确定了一些BlackBerry的最高价值专利资产下载TechInsights的分析师研究了BlackBerry专利组合并分区了
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23. 破坏
Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用

Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用

2021年3月23日，2021年3月23日博士用于超低延迟NAND应用的新XL-Flash我们已经发现了一个新的XL-Flash产品，具有来自Kioxia的96L Bics4 NAND Cell架构。根据Kioxia的说法，XL-Flash非常低延迟，高
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23. 破坏
细节

动态视觉传感器 - 简要概述 - 图像传感器Techstream博客

2021年3月16日Ziad Shukri动态视觉传感器–简要概述动态Vison传感器是异步成像仪。与人眼非常相似，它们被设计为对亮度的变化做出反应，没有“帧”可捕捉。使用DVS，个人
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18. 破坏
高级1 GB 28 NM STT-MRAM产品，来自Everspin Technologies

高级1 GB 28 NM STT-MRAM产品，来自Everspin Technologies

破坏ch 16, 2021 Dr. Jeongdong Choe Advanced 1 Gb 28 nm STT-MRAM products from Everspin Technologies We’ve been waiting for a long time to see the technology details of Everspin’s new stand-alone 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive
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16. 破坏
细节

来自富士通的新和高级纪念日

2021年3月9日，富士通博士博士博士从富士通进行了新的和先进的雷兰克兰，我们一直在富士通半导体分析新的RERAM产品。富士通8 MB MB85AS8MT是世界上最大的密度，作为独立的批量生产的Reram产品。这
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11. 破坏
GaN USB-C充电器市场在2021年加热

GaN USB-C充电器市场在2021年加热

2021年3月10日Sinjin Dixon-Warren电力技术GaN USB-C充电器市场在2021镓氮化镓（GaN）的高功率USB充电器用于智能手机，平板电脑和笔记本电脑是电力电子市场的不断增长的区域。TechInsights.
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10. 破坏
商业高压碳化硅器件的前景

商用高压碳化硅器件的前景综述

2021年3月03日，彼得吉姆蒙电力技术博士商业高压碳化硅器件前景 - 摘要SIC电源器件有可能达到超过30千伏的电压额定值，但今天，SIC芯片制造商集中在一起
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03. 破坏
网络研讨会：选定的成像器和传感器趋势和比较

网络研讨会：选定的成像器和传感器趋势和比较

3月3日，2021年图像传感器技术网络研讨会：选定的成像器和传感器趋势和比较现在按需！本网络研讨会的目的是从我们的2020个图像传感器设备Essentials（DEF）订阅年度共享所选内容
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03. 破坏
激光雷达101

LIDAR 101 - 固态和机械楣

2月19日，2021年汽车技术LIDAR 101 - 固态和机械LIDARS 2020是LIDAR制造商的令人兴奋的一年。五个LIDAR公司（Velodyne Inc，Luminar Technologies Inc，Inviniz Technologies Ltd，Aeva Inc，以及欧姆斯特
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19. 2月
网络研讨会

网络研讨会：为电动车（EV）革命而准备

介绍：Stephen Russell＆TechInsights电力订阅为电子车辆（EV）革命状态的艺术电脑的革命状态全球推动绿色能源正在加速。十年前，电动汽车（EVS）是一个
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03. 2月
Qualcomm Snapdragon 888.

高通Snapdragon 888在小米11中为市场带来了一个新的5纳米进入者

2月03日，2021年2月逻辑破坏性技术下载简短的Qualcomm Snapdragon 888在Xiaomi Mi 11带来了一个新的5纳米进入市场，释放了Snapdragon 888，高通公司在竞争中与其他5纳米产品发布
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03. 2月
支持半导体行业的知识产权战略

支持半导体行业的知识产权战略

支持半导体行业的知识产权战略芯片市场日益复杂，这使得知识产权所有者比以往任何时候都更难监控发展情况，从而使逆向工程成为一个关键过程——逆向工程的广度乐动篮球快讯
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27. 1月
索尼d-ToF传感器在苹果新的激光雷达相机中发现

索尼d-ToF传感器在苹果新的激光雷达相机中发现

1月19日，2021年图像传感器中断技术索尼D-TOF传感器在苹果新的LIDAR Camera Apple的Lidar相机中首次观察到2020年代的iPad Pro;正如预期的那样，我们在10月份看到了iPhone 12 Pro中使用的相同部分。行业
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19. 1月
IPWatchdog

网络研讨会：汽车供应链中半导体IP的值增加

当今汽车供应链中的半导体IP增加，汽车不仅仅是运输设备。汽车是具有娱乐系统的热点，最先进的通信能力，以及最前沿
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17. 12月
拆除：Velodene Lidar Puck VLP-16传感器

拆卸：Velodyne激光雷达Puck VLP-16传感器（电子S360）

深入潜入光检测和测距技术中使用的主要部件。张贴在电子360中。
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14. 12月
USB-C电源交换适配器中的新兴GaN技术

网络研讨会：USB-C电源适配器中的新兴GaN技术

在USB-C电力交付适配器中的新兴GaN技术此次活动由Sinjin Dixon-Warren＆TechInsights电源适配器提供USB连接在现代生活中无处不在。我们使用的精彩移动设备需要定期连接
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09. 12月
3D闪存，176层！

3D闪存，176层！

到目前为止，NAND Flash已经显示出白热阶段。不久前，存储供应商仍然“看到闪存的高平台上的风景”，有128层。
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09. 12月
内存技术2020及以后

网络研讨会：内存技术2020及以外 - NAND，DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势

Memory Technology 2020及以外的NAND，DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势本次网络研讨会由TechIngs介绍，Jeongdong Choe博士将详细审查最新的NAND，DRAM，新兴和
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02. 12月
网络研讨会：对苹果iPhone 12的技术和财务影响的研究

网络研讨会：审查Apple iPhone 12的技术和财务影响

TechInsights、TechInsights和Bloomberg Intelligence分析师在本次网络研讨会上介绍了苹果iPhone 12的技术和财务影响，他们分享了他们对苹果最新产品的技术和财务见解
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10. 11月
微载荷及其对器件性能的影响

微载荷及其对器件性能的影响

Semulator3D如何用于研究高级DRAM过程中的微负载和制造变量，该过程呈现出挥动伪造的AA轮廓。
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02. 11月
网络研讨会：市售存储器设备中的ALD / ALE进程

网络研讨会：市售存储器设备中的ALD / ALE进程

2018年商用内存设备中的ALD/ALE工艺促使内存产品制造商三星、海力士、东芝和美光引入64层或72层堆叠3D-NAND设备，并进入1x代DRAM设备。本演示将
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28. 十月
iphone相机历史：iphone 12的替代和正常

iphone相机历史：iphone 12的替代和正常

iPhone相机的进化历史也可以被视为手机开发的历史，即使iPhone没有完全遵循CIS技术趋势的推进。只是借此机会，还要通过最后一次
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21. 十月
网络研讨会：空间，电源，梁 - 缩短艰苦跋涉，以获得5G芯片设计和制造的边缘

网络研讨会：空间、电源、光束–缩短行程，在5G收发器设计和制造方面取得优势

空间、功率、波束缩短了长途跋涉，从而在5G收发器设计和制造中占据优势随着5G的引入，移动射频领域的竞争越来越激烈，并辅之以旨在解决各种问题的相关创新
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23. 九月
SK Hynix 128L 3D PUC NAND

SK Hynix 128L 3D PUC NAND（4D NAND）

SK hynix发布了世界上第一个128层（128L）3D NAND，他们称之为4D NAND。这是他们的第二代NAND，采用外围单元下（PUC）架构构建；第一个是他们的96L NAND。在临市局架构中，外围设备
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14. 九月
网络研讨会：市售逻辑设备中的ALD / ALE过程

网络研讨会：市售逻辑设备中的ALD / ALE过程

商业上可用逻辑设备中的ALD / ALE进程2018的推出了一种新一代逻辑产品，以其10nm代微处理器的英特尔为单行，其次是TSMC和三星朝向的FinFET晶体管。
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26. 八月
描绘半导体工业60年及其不断变化的专利战略

半导体工业60年及其专利战略的变化

贡献：Arabinda DAS今天，半导体行业是一个庞然大物，其年销售收入跨越4000亿美元。在其60年的存在之上，这种成熟的行业已经尝试过各种型号，如集成装置
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04. 八月
Apple iPhone 11 Pro Teardowns看起来鼓励Stmicro和Sony

Apple iPhone 11 Pro Teardowns看起来鼓励Stmicro和Sony

STMicroelectronics and Sony似乎可以为Apple的最新旗舰iPhone提供四个筹码。许多其他历史的iPhone供应商也在最新的拆除时出现。
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26. 九月
特斯拉准备将Maxwell的干电极创新应用于电池细胞制造

特斯拉准备将Maxwell的干电极创新应用于电池细胞制造

发布时间：2019年2月7日贡献作者：Marty Bijman和Jim Hines图1 - 特斯拉的投资组合，包括Maxwell和Solarcity收购图2 - Tesla Portfolio Landscapes，显示了哪些发明起源于特斯拉，孤主性，以及
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07. 2月
https://www.ipwatchdog.com/2018/06/20/creating-better-applications-patent-strengthing/id = 98439/

通过专利加强创造更好的应用程序乐动体育博彩下载

乐动体育博彩下载专利加强是我们用来指的术语，以指在检察机会期间从专利期间实现最大的价值潜力 - 在甚至被授予专利之前。
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20. 君
优步专利景观是什么样的？

优步专利景观是什么样的？

发布时间：2018年2月27日贡献作者：Marty Bijman最近，Iam的Timothy Au发布了一篇博客，提供了外观优步的投资组合。博客参考了优步的投资组合化妆，并在过去5年中提供了他们的IP事件的编年史
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27. 2月
2019冠状病毒疾病

2019冠状病毒疾病

最近几周，我们一直密切关注COVID-19的进展，定期更新我们的旅行和运营政策，以包括我们选择实施的越来越严格的限制。我们的优先事项是确保持续的健康和安全
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04. 破坏