TechInsight’s internal waveform analysis projects include the following:

  • NAND Flash.
  • 独立应用程序中的闪存
  • 微控制器等应用中的嵌入式flash
  • 摄像机和手机的图像传感器
  • OLED和LCD像素在电话,监视器和电视机中显示

对于闪存,波形分析提供了编程算法的细节,以及在各种设备操作和模式下编程、读取和擦除存储单元所需的内部生成电压的测量。在有源探针布置中测试存储器,并且在设备操作期间记录所选信号的电压轨迹。

我们的波形分析涉及目标信号的内部信号探测,以解释电路功能和系统算法,包括:

  • 对存储器/存储设备进行编程、读取和擦除所需的闪存编程算法
  • CMOS图像传感器像素操作算法,用于感测和读出图像
  • DRAM数据路径操作和定时

波形

项目流动主步骤

电路提取

1电路提取

包装分析

2.包装分析(解敷和修改)

Flash程序员和外部功能测试

三。Flash编程器与外部功能测试

探头垫放置(FIB)

4探头垫放置(FIB)

波形Captures and Analysis

5.波形捕获和分析

1. Circuit extraction

提取的示意图通常是同一设备/模具的已完成电路报告(CAR)的一部分。如果没有现成的车辆,首先需要提取感兴趣区域的电路,以识别布局上感兴趣的信号,并确定是否可以进入。

进一步了解我们的电路提取.

电路提取

2包装分析

解压缩:喷射蚀刻存储器封装,以暴露模具表面的剖面,用于探针垫放置

一些封装挑战包括:芯片阻塞、芯片方向、标准NAND接口封装连接到闪存编程器的芯片重新封装

进一步了解我们的乐动体育app下载LDsport.

包装分析

三。Flash编程器与外部功能测试

各种闪存编程器单元用于在各种操作模式下操作NAND和NOR闪存包,如异步、多平面、特定供应商命令等…

对于NAND闪存,命令和寻址可能因设备而异(例如,每个块的页数、字线寻址与页寻址、TLC与MLC、命令前缀等),因此设备数据表是获取此信息以基于数据表生成适当闪存编程驱动程序的最快方法

如果设备数据表不公开,则进行外部功能测试,将闪存包插入内存系统(如SSD、电话、,SD卡),用于连接到逻辑分析仪,以便在系统操作期间捕获控制器和NAND闪存设备之间的通信,以确定操作设备所需的命令和寻址方法。

从外部功能测试获得并分析的命令和寻址信息,然后用于生成适当的flash编程器驱动程序,以操作目标NAND flash设备

进一步了解我们的功能测试.

Flash程序员和外部功能测试

4. Probe pad placements (FIB)

纤维板放置挑战包括:

  • 当前NAND闪存中的较小过程节点
  • 金属化材料、厚度和宽度
  • 低位金属上的位线访问和NAND闪存中的线间距,以FIB BL信号(可能需要额外的FIB编辑)
  • M2和M1上较低的金属信号很难在CMOS型3D-NAND器件阵列上实现FIB(背面FIB可能是一种选择)

进一步了解我们的功能测试.

探头垫放置(FIB)

5. Waveform captures and analysis

两种类型的NAND内部战争可交付成果:标准申报报告。

标准报告包括一组预定义的信号,如字线、位线、源线、PWELL等(总共10个信号)。该报告将包括NAND设备的所有存储器状态的所有程序、读取和擦除波形,例如在TLC设备状态000到状态111中,列表电压和状态分布的摘要图

自定义报告可以包括客户机所需的任意多个信号,例如页缓冲电路上的所有信号,以便通过分析施加的电压和信号的定时来了解电路操作。

自定义报告还可以包括程序、读取和擦除波形以及任何其他必要的附加请求,以支持它们的需要

所有reports will optionally include the raw data sheet files for all the waveform figures with a viewer application as part of the final deliverable. The raw data sheet files allow the user to open each waveform figure and custom select the time scale, voltage scale and waveform colors as needed

如下图所示,3D-NAND闪存中程序、读取和擦除操作的捕获波形提供了测试设备的程序算法的详细信息,用于专利相关侵权分析或了解其他供应商的最新设计/解决方案。

在标准型内部波形分析中,还提供了存储器阈值电压分布,作为不同存储器状态(MLC设备的4个状态和TLC设备的8个状态)是如何编程和分布的摘要,如下两个示例所示:

波形Captures and Analysis

波形Captures and Analysis

技巧网络研讨会:技术分析NAND闪存和SSD设备-内部探测,波形分析,等等

此演示文稿介绍了NAND​​ Flash和SSD设备中的一些创新领域,并概述了我们申请分析这些创新的各种测试方法。

我们的价值

通过揭示先进技术中其他人无法实现的创新,我们证明了专利价值,并推动了最佳的知识产权和技术投资决策。

Technical and product teams for the world’s most innovative and disruptive technology companies use our insights to make the best technology investment decisions.

通过将深厚的专利知识与世界上最先进的逆向工程和技术分析能力相结合,我们展示了无与伦比的能力,能够将专利与产品相匹配,乐动篮球快讯并提供先进技术市场使用的确凿证据。

Our Analysis

我们的分析揭示了技术实现在电子电路、软件和制造过程中的应用。它们被用来获取有关技术创新的情报和发现使用的证据,向技术、法律和专利专业人员证明专利价值。

自定义分析

深入了解创新

我们使用最先进的设施,专有的工具和高度经验丰富的技术人员和工程师,以揭示消费电子设备的内在工作和秘密。

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