个人电脑曾经是动态随机存取存储器（DRAM）行业的主要驱动力；现在，这个领域的市场更加多样化，推动了创新。随着对更强大设备的需求不断增长，高容量处理器、半导体和芯片组的可用性也在不断提高。智能手机、平板电脑、数据中心、汽车应用，以及越来越多的物联网，以及人工智能和机器学习对高带宽内存的要求，都落后于创纪录的行业利润。
DRAM预计在2018年至2023年间复合年增长率为28.70%。韩国、台湾、日本和中国制造业的成功将亚洲定位为一个突出的DRAM市场。
With the DRAM market still booming, all the major DRAM players such as Samsung, SK Hynix, Micron and Nanya are eager to develop and release their next new successfully-scaled-down generation. The top 3 DRAM manufacturers have already jumped into the sub-20 nm technology node, by introducing offerings such as 1X nm in 2017 and 2018, like Samsung's 1X and 1Y LPDDR4X, DDR4 and GDDR6, and DRAM down-scaling will continue within a few years.
考虑到DRAM单元TR工程和电容器结构提供的进一步缩小到18或1a的能力有限，主要参与者可能会寻求采用新的技术创新，如柱形单元电容器、高k电容介质、用于埋置字线栅极的双功能层、低k介质间隔和气隙。
采用4F2单元设计的1T-DRAM或无电容DRAM产品可能暂时看不到，但我们最迟将在今年底或明年初看到DDR5、LPDDR5产品在商用市场上。HBM2（三星，SK-Hynix）和HMC2（微米）现在被广泛用于GPU（AMD，NVIDIA）。一些新的中国DRAM公司——包括UniIC和CXMT——已经向市场推出了他们的产品，我们很高兴能够分析三星的GDDR6
我们继续监控这一领域的创新，并调整我们的分析路线图，包括拆卸/成本、架构、设计、过程集成、功能测试、封装、结构、电路、晶体管特性和波形分析。
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