Micron D1Z 16GB DDR4晶体管表征报告

产品代码
TCR-2007-801.
发布日期
可用性
在创作中
产品项目代码
MIC-MT40A4G4JC-062E_E
设备制造商
微米技术
设备类型
DDR4 SDRAM.
订阅
记忆 - NAND&DRAM
渠道
内存 - DRAM SWD和SA晶体管表征
报告代码
TCR-2007-801.
第一个商业化D1Z DRAM技术节点从行业最高的位密度最新;Micron的D1z 16 GB DDR4模具,0.247 GB / mm2位密度(25%从Micron D1Y 16 GB DDR4模具增加)最小的细胞尺寸最新;电池尺寸0.0020μm2(从micron d1y缩小17%)
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