Micron Technology MT40A1G8SA-062E DDR4 SDRAM多温晶体管表征

本报告为位于微米技术MT40A1G8SA-062E DDR4 SDRAM的I / O区域中的外围NMOS和PMOS晶体管提供了关键直流电特性。MT40A1G8SA-062E是一种使用8的高速DRAMN- 实现高速操作的预备架构。8.N-Prefetch架构与旨在在I / O引脚处每个时钟周期传输两个数据字的接口。DDR4 SDRAM的单个读取或写入操作由单个8组成N-bit宽，四个时钟数据传输在内部DRAM核心，两个相应的N-bit在I / O引脚上宽和一半时钟周期数据传输。