STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 650 V SIC工艺流程分析

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产品代码
PFA-2009-804
发布日期
24/11/2020
可用性
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产品项代码
STM-SCTH90N65G2V-7
设备制造商
STMicroelectronics.
设备类型
SIC Power FET.
订阅
功率半导体
渠道
功率半导体 - 碳化硅（SIC）工艺流程
报告代码
PFA-2009-804
本报告介绍了STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 650 V碳化硅功率MOSFET的过程流程分析，RDS（ON）为18MΩ，连续漏极电流（ID）为116A，25°C。该设备已采用STMICRO先进和创新的第二代SIC MOSFET技术开发。潜在应用包括可再生能源系统和高频DC-DC转换器的电源。
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