联系我们 产品代码 PEF-2009-801. 发布日期 可用性 在创作中 产品项目代码 IS1-Inn650D02 设备制造商 Innoscience. 设备类型 GaN Power FET. 订阅 功率半导体 渠道 功率半导体 - 功率要领 报告代码 PEF-2009-801. 来自中国的第一个GAN-on-SI电力设备。650V / 11A /180MΩ 对新出现的电力过程半导体产品进行定期，简化分析 基于事实的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）和硅（Si）的创新，竞争利用硅（Si）的新出现功率半导体技术分析。 学到更多 搜索我们的分析和网站 立即开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 Infineon IGT60R190D1S 600V Coolgan Power Plantplan分析 英飞凌 过程 功率半导体 - 氮化镓（GaN）Placeplan 东芝TW070J120B 1200V碳化硅（SIC）电源平面图分析 东芝 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）PloorPlan GaN Systems GS-065-011-1-L 650V GaN FlorePlan分析 GaN系统 过程 功率半导体 - 氮化镓（GaN）Placeplan STMicroelectronics Mastergan1 650V Gan Power Placeplan报告 STMicroelectronics. 过程 功率半导体 - 氮化镓（GaN）Placeplan STMicroelectronics Mastergan1 650V GaN Power Essentials STMicroelectronics. 过程 功率半导体 - 功率要领 在半NVHL080N120SC1 1200V SIC POWER PLOSEPLAN分析 在半. 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）PloorPlan Tranphorm TP65H035G4WS 650V GaN电源平面图分析 Transphorm Inc. 过程 功率半导体 - 氮化镓（GaN）Placeplan CREE C2M0045170P 1700V SIC POWER PLOSEPLAN分析 cr 平面图 功率半导体 - 碳化硅（SIC）PloorPlan STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 650V SIC工艺流程分析 - 功率 STMicroelectronics. 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）工艺流程 Innoscience Inn650D02 650V GAN Power Essentials Innoscience. 过程 功率半导体 - 功率要领
