联系我们 产品代码 mdp - 2010 - 802 发布日期 可用性 在创建 产品项目代码 SAM-K9AFGD8U0C 设备制造商 三星 订阅 内存- NAND & DRAM 通道 内存- NAND外设设计 报告的代码 mdp - 2010 - 802 1.三星128L (136T) TLC NAND产品4平面模具设计采用3。位密度为5.64 Gb/mm2 一个独特的金库的信任，准确的数据在您的指尖 我们的分析深入到揭示各种产品背后的内部工作原理和秘密。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆吧 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 在三星K4A8G085WD-BCTD 1Y DDR4 DRAM上的电路视觉分析(完整)(带有Cadence文件) 三星 电路 内存- DRAM电路分析 Nanya 20nm DDR4 4Gb D-Die存储器布局分析 南亚科技有限公司 平面布置图 内存- DRAM布局分析 Micron 1y GDDR6X内存布局分析 美光科技 平面布置图 内存- DRAM布局分析 三星128L NAND模(K9AFGD8U0C)工艺流程满 三星 过程 内存-进程流分析 三星128L NAND芯片(K9AFGD8U0C)高级内存精华 三星 过程 内存,进程 三星128L NAND die (K9AFGD8U0C)内存外设设计 三星 电路 内存- NAND外设设计 三星128L NAND模(K9AFGD8U0C)工艺流程分析 三星 电路 内存-进程流分析 三星K9AFGD8U0C 128L NAND模存储器平面图分析 三星 平面布置图 内存- NAND布局分析 KIOXIA 96L QLC 3D NAND闪存外挂设计- NAND SanDisk 电路 内存- NAND外设设计 三星1y LPDDR4X SDRAM (K3UH7H70AM-AGCL) 8gb电路分析 三星 电路 内存- DRAM电路分析
