赛普拉斯CY15V104QSN超F-RAM高级内存要领

产品代码
AME-2010-801
发布日期
2011/02/2021
可用性
发表
产品项代码
CYP-CY15V104QSN.
设备制造商
赛普拉斯半导体
设备类型
FRAM.
订阅
记忆 - 嵌入和新兴
渠道
内存 - 嵌入式和新兴过程
报告代码
AME-2010-801
为NAND Flash芯片提供的高级内存要素(AME)包括一个简洁的分析师的摘要文档,突出显示了由以下图像文件夹支持的关键尺寸和突出功能:
  • 下游产品拆除
  • 包X射线,顶部金属和多模芯片,模具功能的非侵入式光学照片
  • SEM斜面通过逻辑区域和NAND闪光灯
  • 通用器件结构的SEM横截面,BEOL(金属,电介质)和FEOL结构
  • 一个(或两种)TEM横截面,与单词和/或位线正交,显示NAND闪存阵列单元,较低的金属和电介质,晶体管门,隔离和其他FEOL特征
  • TEM斜面通过NAND闪光灯
TEM-EDS分析结果包含在AME摘要文件中。AME可交付的可交付提供了及时的竞争基准信息,并使在竞争对手的广度上具有成本效益的技术创新。

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