Micron D1Z 16GB DDR4高级内存要素

联系我们

产品代码
AME-2007-801
发布日期
可用性
在创作中
产品项代码
MIC-MT40A4G4JC-062E_E
设备制造商
微米技术
设备类型
DDR4 SDRAM.
订阅
记忆 - NAND＆DRAM
渠道
记忆 - 过程
报告代码
AME-2007-801
第一个商业化D1Z DRAM技术节点从行业最高的位密度最新;Micron的D1z 16 GB DDR4模具，0.247 GB / mm2位密度（25％从Micron D1Y 16 GB DDR4模具增加）最小的细胞尺寸最新;电池尺寸0.0020μm2（从micron d1y缩小17％）
login or register as a guest.">下载示例报告
内存订阅

您需要的内存分析

巨大的前期研发投资要求客户具有最新和准确的竞争情报。弄清楚首先开发产品策略的挑战。

学到更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商. 分析类型 订阅频道
Samsung K4A8G085WD-BCTD 1Y DDR4 DRAM上的CIRCHNVISION分析（完整）（带Cadence文件） 三星 电路 记忆 - DRAM电路分析
三星1Y LPDDR4X SDRAM（K3UH7H70AM-AGCL）8 GB电路分析 三星 电路 记忆 - DRAM电路分析
SK Hynix 1Y LPDDR4X记忆平面图分析 海瑞克斯 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
SK Hynix 128L 3D NAND流程全记忆 海瑞克斯 处理 记忆 - 过程流程分析
SK Hynix 128L 3D NAND流程分析 - 内存 海瑞克斯 处理 记忆 - 过程流程分析
SK Hynix 128L 3D NAND Advanced Memory Essentials 海瑞克斯 处理 记忆 - 过程
SK Hynix 128L 3D NAND记忆设计外围 - NAND 海瑞克斯 电路 记忆 - NAND外围设计
三星1x 16 GB DDR4 SDRAM存储器落地分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
Micron D1Z 16GB DDR4高级内存要素 微米技术 处理 记忆 - 过程
Micron D1Z 16GB DDR4过程流程分析 - 记忆 微米技术 处理 记忆 - 过程流程分析