Hynix H27EGLM 48层3D V3-NAND闪存高级内存Essentials

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产品代码
AME-1710-801
发布日期
2017/12/14.
可用性
发表
产品项目代码
HYN-H23Q2T8QK6MES-BC
设备制造商
海瑞克斯
设备类型
NAND Flash.
订阅
记忆 - NAND＆DRAM
渠道
记忆 - 过程
报告代码
AME-1710-801
为NAND Flash芯片提供的高级内存要素（AME）包括一个简洁的分析师的摘要文档，突出显示了由以下图像文件夹支持的关键尺寸和突出功能：
  • 下游产品拆除
  • 包X射线，顶部金属和多模芯片，模具功能的非侵入式光学照片
  • SEM斜面通过逻辑区域和NAND闪光灯
  • 通用器件结构的SEM横截面，BEOL（金属，电介质）和FEOL结构
  • 一个（或两种）TEM横截面，与单词和/或位线正交，显示NAND闪存阵列单元，较低的金属和电介质，晶体管门，隔离和其他FEOL特征
  • TEM斜面通过NAND闪光灯
TEM-EDS分析结果包含在AME摘要文件中。AME可交付的可交付提供了及时的竞争基准信息，并使在竞争对手的广度上具有成本效益的技术创新。
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