电子书:2022年及以后为内存技术
洞察、分析和趋势博士Jeongdong Choe(高级技术的家伙,TechInsights)
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电子书:2022年及以后为内存技术
DRAM和NAND闪存的需求一直在稳步增加记忆和新兴市场如STT-MRAM ReRAM,极化,FeRAM和3 d XPoint记忆预计到2030年将达到36美元b。随着新兴内存制造商竞赛设备扩展之前,他们将面临诸多挑战。这本书深入记忆技术发展,趋势,和即将到来的挑战。
由Jeongdong Choe博士,高级技术研究员TechInsights(广泛发表与30年半导体行业专家,研发和逆向工程在DRAM, NAND FLASH,也不是SRAM /逻辑,和新兴内存)本电子书概述当前的内存技术,并讨论了细节,进一步发展趋势,和即将到来的挑战。乐动篮球快讯
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内存
除了存储密度,细胞比例,发展和内存的应用程序
动态随机存取记忆体
细胞比例和设计趋势,受欢迎的特性
3 d与非
当前随笔的趋势和前景
新兴的记忆
新兴内存设备的未来和潜在的挑战
电子书目录
介绍
DRAM技术、趋势和挑战
从市场参与者发现DRAM的路线图。学习微米之间的差异、三星和SK海力士DRAM单元设计和深入研究未来创新。
3 d NAND闪存技术、趋势和挑战
探索的最新进展主要与非制造商正在致力于创新和深入研究设计采用迄今为止成功产品化的原型。一窥3 d之间的差异与非设计的三星、英特尔和其他市场参与者。
新兴的技术趋势和挑战
发现新兴的记忆将意味着未来及其演化。查看新兴记忆路线图突出STT-MRAM极化/ XPoint ReRAM / CBRAM FeRAM和嵌入式DRAM和闪存的发展领域Everspin等球员,三星、台积电、Adesto等。
