我们将看到Logic 3nm的明显扩展趋势延迟?
TechInsights从2021年流程和设计年度研讨会上更新了我们客户的扩展趋势。
Yuzo Fukuzaki
总之,
- NAND2单元的缩放趋势是栅极间距的缩放，而SRAM的缩放趋势是平缓的
- NAND2单元的逐年扩展趋势几乎持平，而SRAM单元的扩展趋势没有跟踪NAND2的扩展，并且自2018年以来明显被推迟
- Fin Depopulation DTCO (Design Technology Co-Optimization，设计技术协同优化)技术允许标准单元高度的缩放，以抵消每年的其他缩放延迟;SRAM单元没有这个DTCO扩展选项，导致扩展趋势延迟，并且不能跟踪逻辑扩展趋势。
您可以在Fukuzaki Yuzo的ICMTS 2022教程演示中找到更多细节。
这篇博客是对我们已经完成的分析的定量观察的更新。
TechInsights补充了我们的数字平面图分析和TechInsights对台积电N3技术的推测的最新数据，我们预计在未来18个月内看到。我们在下面的信息中使用了一个任意的单位，但是有关详细信息，您可以联系TechInsights。
请注意N3 (TechInsights的推测工艺技术，具有最低的CPP;contact Poly Pitch)将在DTCO缩放趋势上下降，如图右下角所示。还可以看到2023年NAND2单元面积缩放延迟(左下图)。由此，它也证实了HD SRAM单元面积的缩放从2018年开始被推迟(左上图)，因为缺乏DTCO选项来实现这些单元的缩放(与右边的2张图相比)。此外，3nm工艺节点的发布日期被推迟，进一步影响和推迟了我们在历史上看到的行业保持的规模化趋势。
如果TSMC N3零件按原计划在1H22供应，趋势将保持(由折线显示)。台积电N3的生产将于22年下半年开始增加，我们预计零件将于23年上半年供应给我们。这种延迟的根本原因仅仅是由于最初计划的技术发布延迟。
台积电将于22年下半年将3nm制程投入量产电子时报）
台积电，“3纳米”信心…关注三星“代工”战略(韩国)(明阳恒）
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