Sinjin Dixon Warren是TechInsights的高级工艺分析师，拥有20多年的半导体分析经验，是电力电子分析的主题专家（SME）。他拥有多伦多大学化学物理博士学位；他的一些专业包括半导体物理和器件、材料科学和表面分析化学。
10月ober 8, 2020
UnitedSiC是一家无晶圆厂碳化硅（SiC）供应商，由罗格斯大学的一个研究小组于1999年创立。虽然SiC电力电子市场的大多数供应商都在追求SiC MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）技术，但UnitedSiC选择了SiC结FET（JFET）技术的冠军。
JFET方法的优点是非常低的导通电阻（RDSON）值。通常，JFET与低压MOSFET串联在一起，形成所谓的“共源共栅”结构。正如最近在电功率,this is a “modern twist on an old idea.” To make the best of SiC technology, manufacturers have revisited an idea from the 1930s, where vacuum tubes were wired in series to form a hybrid device with performance better than either of the individual components. The technique was called cascode and has reappeared over the years in bipolar junction transistor and MOSFET devices.
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