功率半导体：什么是导通电阻？
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Stephen Russell, Subject Matter Expert - Power Devices, explains RDS（开）在这8分钟内YouTube video。
他讨论了在电力设备的三种技术因素之间进行的恒定拔河：
- 在州
- 切换性能
- 鲁棒性和可靠性
改进电力装置中的上述因素之一趋于损害另外两个中的至少一个，因此功率半导体设计人员如何有效地导航这种拔河？更不用说成本的考虑......
R.DS（开）功率晶体管不是独特的，但它与它们非常相关。功率器件是模拟而不是数字的，它们处理电能的流动本身而不是信号。因此，由于甚至效率百分比损失的阶段的极端功率可能是显着的。
作为不同设备结构如何对该图的根本影响的示例，斯蒂芬比较了我们在几个基因碳化硅MOSFET上进行的一些分析 - 它们的3RD.生成750 V设备以及最近发布的3.3 kV设备。漂移区域的不同大于5的5，改变了r的总值DS（开）and the region of the device with the most significant contribution (shifting from the MOSFET channel in the 750 V case to the drift region in the 3.3 kV case.)
最后，斯蒂芬讨论了标准化的指标，通过该标准，可以将来自不同供应商的不同功率设备进行比较特定的导通电阻或rDS（开）*一种。
