发布时间:2017年6月5日
特约作者:崔正东，高级技术研究员
模具照片
SK海力士去年接连开发出了第二代21纳米DRAM技术。由于第一代21纳米DRAM的成品率低、可靠性差等问题，三星电子的第二代21纳米DRAM电池技术受到了存储企业的关注。
第2代DRAM的芯片尺寸和存储密度与第1代有很大的不同。模具尺寸从76.0 mm减少2到53.6毫米2对于相同的8gb /die，这意味着内存密度从0.105 Gb/mm增加了42%20.149 Gb /毫米2．有源图案节距保持较小，类似于41 nm，而字线节距和位线节距分别缩小到55 nm和63 nm。因此，细胞的大小减少了16.3%。
SK海力士在电池电容器上采用了蜂窝状结构，而不是checker结构。DRAM的内存密度一直保持在0.056 Gb/mm2(3x nm)， 0.081 Gb/mm2(2x nm)， 0.105 Gb/mm2(2y nm_1)和0.149 Gb/mm2为第二2y nm。
比较SK海力士21nm第一代和第二代DRAM技术
通过与其他DRAM制造商的进一步比较，我们发现SK海力士第二代21纳米DRAM内存密度比三星20海里和20微米纳米DRAM产品。例如，三星2y(20纳米)DRAM的容量为0.142 Gb/mm2，而Micron 20 nm DRAM的容量为0.094 Gb/mm2,分别。
我们用10 ~ 12ff /cell估计了DRAM单元的电容。更多细节可在我们的SK海力士21 nm第2代DRAM的ACE报告(报告ID: ace - 1703 - 801)。
由于三星已经向市场公布了用于DDR4和LPDDR4/LPDDR4X的1x nm (18 nm) DRAM产品，我们预计SK海力士的18 nm DRAM技术将很快进入我们的手中。
