发布时间：2018年4月9日
作者:Ray Fontaine
我们的实验室团队在Galaxy S9 / S9 +的相机芯片的结构分析方面取得了良好的进展。虽然大多数详细信息都是为我们的订阅者保留的，但我们确实希望分享概览作为我们的跟进拆卸的博客．我们确认三星再次采购后相机芯片，我们希望看到S5K2L3（三星）和IMX345（索尼）在下一代三星音符中再次。
我们一直在追踪银河系系列相机中多个中断技术元素的出现。图1总结了一些这些发现，最新的突出显示是包括CMOS图像传感器（CIS），图像信号处理器（ISP）和DRAM的3层堆叠成像器。如图所示，三星和索尼团队一直以不同的速度介绍其各自的两层（CIS + ISP）堆叠解决方案。2014年索尼从传统的背光配置转换为具有通过硅通孔（TSV）芯片到芯片互连的双层堆叠成像仪。三星随后两年后，他们自己的TSV为基于TSV的两堆。当时，索尼再次与Ziptronix（Invensas / Xperi）获得许可的Cu-Cu直接键合（DBI）解决方案。最后，在2018年，两个供应商都同步了3层堆叠芯片的引入，尽管用基本不同的制造技术实现。
图1:Galaxy S系列后置摄像头芯片精选功能摘要
Galaxy S9的索尼IMX345
IMX345的总体结构类似于IMX400, IMX400是索尼Xperia XZs推出的世界上第一款3层堆叠成像仪。我们最初的IMX345调查结果显示，索尼倾向于继续使用其第一代3层堆叠策略。首先对DRAM和ISP晶圆进行晶圆键合和基于tsv的互连流程，然后对CIS到减薄DRAM晶圆进行互连。注意，在IMX400和IMX345中，DRAM是一种包含内存阵列和CIS行控制电路的定制解决方案。
图2:索尼IMX345封装截面-光学
三星LPDDR4 DRAM来自S5K2L3堆叠成像仪
图4显示了Samsung LPDDR4 DRAM与RDL完好的照片。RDL将凸起落地沿着DRAM脊柱定位的芯片焊盘路由。芯片尺寸为3.17毫米5.33毫米（16.9毫米2）。
图4:Samsung LPDDR4 DRAM来自S5K2L3 ISOCELL Fast Imager
我们总是令人兴奋的是，在银河电话中分析三星和索尼双胞胎之间的差异。Our latest Device Essentials reports will be available soon (S5K2L3: DEF-1803-803, IMX345: DEF-1803-804) and we’re also nearly finished with our report on the new iris scanner from Galaxy S9 (S5K5F1: DEF-1803-802).
