2021年2月4日,
博士博士选择三星D1z LPDDR5 DRAM (EUVL)
最后！经过几个月的等待，我们已经看到三星电子的应用极端紫外线（EUV）光刻技术在大规模生产中进行D1Z DRAM！去年年初，三星电子宣布全球首次基于ARF-I基于D1Z DRAM和EUV光刻（EUVL）分别应用D1Z DRAM的开发。TechInsights很兴奋，我们终于发现并确认了三星的新技术和高级D1Z DRAM设备和这项技术的详细信息。
三星电子产品开发了D1Z 8 GB DDR4，D1Z 12 GB LPDDR5和16 GB LPDDR5 DRAM设备，也具有更高的性能。我们在三星Galaxy S21 5G系列中发现了D1Z 12 GB和D1Z 16GB LPDDR5芯片;S21 5G，S21 + 5G和S21 Ultra 5G于1月2021年释放。
三星D1Z 12 GB LPDDR5芯片用于三星Galaxy S21超5G 5G SM-G998B / DS 12GB RAM，而D1Z 16 GB LPDDR5芯片可从S21 5G和S21 + 5G 8 GB RAM组件找到....
博士博士选择，高级技术研究员
济东博士是TechInsights的高级技术研究员。他在DRAM，NAND / NOR闪存，SRAM /逻辑和新兴记忆中拥有近30年的半导体行业，R＆D和逆向工程经验。乐动篮球快讯他为SK Hynix和Samsung Electronics工作了20多年。他加入了TechInsights，并一直专注于半导体过程，装置和架构的技术分析。他在内存技术中写了许多文章，包括DRAM技术趋势，2D和3D NAND流程/设备集成细节，以及STT-MRAM，XPoint，Reram和Feram设计和架构等新兴内存。他季刊在DRAM，NAND和新兴记忆中产生了广泛的分布式内存路线图。
