发布:2018年1月17日
三星发布了他们64 l 3 d V-NAND解决方案对关键客户,2017年1月6月和加大生产一般市场的扩大。
创新包括以下亮点:
- 垂直与非细胞结构与71年盖茨和20 nm提单间距的一半
- NAND串配置可能与64字线,4设计水线,2串选择线路和1地选择线
- 9通道孔之间的集成常见的源代码行包括1哑洞
- 层压层和隧道氧化层沉积电荷陷阱
- 面具为王垫装饰设计更新
- 中压晶体管代替低压X-dec晶体管
这个设备有很多原因引起了我们的注意,我们进行了大量的分析。我们提供以下报告定义三星64 l 3 d V-NAND,以及通过我们的各种信息订阅产品和工具。