发布时间:2017年6月14日
特约作者:崔正东，高级技术研究员
三星已经开始批量生产了他们的前10名NM级DRAM产品，我们已经拿到了这个机会分析并比较了前几代25纳米和20纳米DRAM产品。在我们的分析过程中，我们发现了技术节点是18 nm，我们认为是用于设计活动模式的最小半间距。
三星18nm 8gb DRAM芯片的容量为0.189 Gb/mm2。与20nm 8 gb模具相比，内存密度增加了32.8％，而电池尺寸（0.0026μm2）减少了21.2％。图1显示了Samsung，SK Hynix和Micron 30 NM类，20nm级和10nm级DRAM产品的DRAM模具尺寸和内存密度的比较。
图1所示。比较三星、SK海力士、美光的DRAM芯片尺寸和存储器密度。
我们认为三星18 nm DRAM最具创新性方面之一是10纳米级的图案化技术。首次，三星成功开发并实施了18纳米DRAM产品的QPT（四倍图案化技术），包括DDR4，LPDDR4和LPDDR4X。使用48nm字体沥青和54nm位线间距，而主动间距为36nm，这意味着通过QPT集成有源模式。该技术已被用于1Y NM NAND技术，特别是15 nm（东芝/ SanDisk）和14 nm（三星）2D平面NAND门（CG / FG）图案化。DPT（双图案化技术）已用于2D平面1X和1Y NM NAND主动和位线图案。由于QPT成熟，三星可以加快开发下一个DDR5，LPDDR5和GDDR6产品的1Y NM（15nm）DRAM的时间。
更新!在18纳米DRAM上发现了三星的Anti-Fuse技术:使用了Kilopass 2T-cell技术
对于蜂窝型电容器结构，已经使用了超薄和非常均匀的Zro / Alzro双层高k电介质。利用以前的20 nm级DRAM技术，介电层在底部比底部较厚，使电容器似乎是倒置锥体。三星通过超细介电沉积技术开发了一种新的材料/过程，成功地使介电层的厚度均匀地均匀地到几埃。这种技术突破允许前10名NM级DRAM的诞生，具有高性能和可靠性。从我们对三星18 NM DRAM电容器结构的分析，1.06nm EOT（电氧化物厚度），1.77mV / cm（ZRO）和7.4FF /电池电容可以在1.2V，300k。
下载三星18nm DDR和LPDDR4X的产品信息
我们的产品信息包括：三星K3UH5H50MM-NGCJ（LPDDR4X移动SDRAM）和K4A8G085WC-BCRC（DDR4）
