2021年2月17日
三星12GB D1Z LPDDR5采用EUV光刻应用
经过几个月的等待，我们已经看到三星电子应用极端紫外（EUV）光刻技术，用于大规模生产的D1Z DRAM。这是他们DRAM内存技术的乐器变更，它在其最新的手机型号中找到，包括三星Galaxy S21 5G系列;S21 5G，S21 + 5G和S21 Ultra 5G在1月2021年1月释放。EUV光刻在缩放和加速生产中显示了制造优势，以及性能收益率。
我们在三星Galaxy S21 5G系列中发现了D1Z 12 GB和D1Z 16GB LPDDR5芯片;S21 5G，S21 + 5G和S21 Ultra 5G刚刚在1月2021年发布。12 GB LPDDR5芯片用于三星Galaxy S21超5G 5G SM-G998B / DS 12GB RAM，而16 GB LPDDR5芯片用于S21 5G和S21 + 5G 8 GB随机存取存储器组件。
三星D1z 12 GB LPDDR5 DRAM DRAM生成中使用的极端紫外（EUV）光刻工艺已展现出15％的制造生产率与之前的D1Y 12 GB版本相比较高。D / R（设计规则）从17.1nm（d1y）降至15.7nm（d1z）。12 GB模具尺寸也降至43.98毫米2(D1z)从53.53毫米2（D1Y），导致较小的芯片尺寸，大约18％从以前的版本缩小。
| 项目 | 三星LPDDR5芯片 | |||
|---|---|---|---|---|
| 内存容量 | 8 GB. | 12 Gb | 12 Gb | 16 GB |
| 技术节点 | D1y | D1y | D1z | D1z |
| 父产品示例 | 小米MI 10. | 小米MI 10. | 三星Galaxy S21 Ultra 5G. |
三星Galaxy S21 / S21 + 5G |
| DRAM组件示例 | K3LK3K30EM-BGCN. | K3LK4K40BM-BGCN. | K3LK4K40CM-BGCP | K3LK7K70BM-BGCP. |
| 芯片尺寸 | 39.12毫米2 | 53.53毫米2 | 43.98毫米2 | 61.20毫米2 |
| 位张力（死） | 0.205 Gb /毫米2 | 0.224 GB / mm2 | 0.273 Gb /毫米2 | 0.261 GB / mm2 |
| 细胞大小 | 0.00231μm.2 | 0.00231μm.2 | 0.00197µm2 | 0.00197µm2 |
| D / R | 17.1 nm. | 17.1 nm. | 15.7 nm. | 15.7 nm. |
| EUV光刻应用 | 没有 | 没有 | 是（BLP） | 没有 |
Samsung D1Y和D1Z LPDDR5芯片的DRAM规格比较，8 GB，12 GB和16 GB
三星使用最先进的D1Z技术与EUV光刻一起用12 GB模具用K4L2E165YC模具标记，而D1Z 16 GB LPDDR5 DRAM芯片具有K4L6E165YB模具标记显示非EUV光刻模具。最初用ARF-1（氩氟激光（ARF）浸没）和EUV（极端紫外线）光刻开发D1Z LPDDR5产品。现在，它们使用EUV SNLP（存储节点着陆垫）和BLP（位线焊盘）光刻生产所有D1Z LPDDR5产品。他们在DRAM行业和全球市场中应用了HVM（大批量制造）产品，尽管三星发布了1M的样本模块，其在2019年底应用了D1x EUV光刻。
Micron D1Z LPDDR4与三星D1Z LPDDR5芯片的竞争力DRAM规范比较
制造商追求的竞争指标是更高的钻头密度，更小的模具尺寸，先进的技术节点。通过使用D1z技术节点的EUV，与业内同行美光相比，三星取得了领先的指标，如下表所示:
| 设备 | 微米D1z | 三星D1Z. | 三星D1Z. |
|---|---|---|---|
| 内存容量 | 16 GB | 12 Gb | 16 GB |
| 技术节点 | D1z | D1z | D1z |
| 父产品示例 | MT53E1G32D2NP-046_WT：A（LPDDR4） | K3LK4K40CM-BGCP（LPDDR5） | K3LK7K70BM-BGCP（LPDDR5） |
| 芯片尺寸 | 68.34毫米2 | 43.98毫米2 | 61.20毫米2 |
| 位张力（死） | 0.234 Gb /毫米2 | 0.273 Gb /毫米2 | 0.261 GB / mm2 |
| 细胞大小 | 0.00204μm2 | 0.00197µm2 | 0.00197µm2 |
| D / R | 15.9纳米 | 15.7 nm. | 15.7 nm. |
| EUV光刻应用 | 没有 | 是（BLP） | 没有 |
D1z DRAM产品比较微米与三星
*与微米D1z细胞设计相比，三星进一步降低了电池尺寸（三星0.00197μm20.00204 μ m2）和D / R（三星15.7nm与微米15.9 nm）。
