Power Integrations与他们的Powigan技术进行了oem设计胜利

发布时间:2019年12月12日
贡献作者:Sinjin Dixon Warren博士

消费者对较小的形状因素和更高权力的需求,加上政府效率法规,正在推动USB适配器市场的创新。该USB-C电源交付standards are a further driver for innovation in this market. The emergence of GaN-based devices in this market is one feature of the innovation.

oppo.Reno Ace智能手机于2019年10月推出,由4000毫安时电池供电,支持其专有的Super VOOC快速充电。图1显示了雷诺Ace智能手机背面内侧的照片。可以看到两个2000毫安时电池。

Figure 1 Inside the Oppo Reno Ace (model PCLM10)

Figure 1 Inside the Oppo Reno Ace (model PCLM10)

随着OPPO Reno ACE提供的VCA7GACH充电器能够驱动6.5A和10 V,以最大为65 W的电源,显然允许Reno ACE收取费用半小时. TechInsights已获得样品,并对充电器进行了测试详细拆卸分析.

图2显示了VCA7GACH USB-C充电器。充电器为5.5 cm x 5.5 cm x 3.1 cm,功率密度为11.4 W/in3,明显高于Apple A1720充电器,可与RACPower RP-PC104USB-C充电器。

图2 Oppo Reno Ace Super V00C充电器(型号VCA7GACH)

图2 Oppo Reno Ace Super V00C充电器(型号VCA7GACH)

图3显示了VCA7GACH充电器内主PCB的正面和背面。各种电感器和电容器出现在PCB的正面,而电源集成SC1923设备则出现在PCB的背面。VCA7GACH中IC的完整列表如表1所示。

Figure 3 Oppo Reno Ace Super V00C Charger Main PCB

Figure 3 Oppo Reno Ace Super V00C Charger Main PCB

Figure 3 Oppo Reno Ace Super V00C Charger Main PCB

制造商 零件号 突出的标记 设备类型
台湾半导体公司 高铁2毫安 - Diode
Power Integrations Inc SC1923C SC1923C
24m8m046a.
(徽标)
GaN电源IC.
英飞凌 BSZ0902NS 0902ns.
HAC927.
(徽标)
功率MOSFET
阿尔法和欧米茄 AON6220 (徽标)
6220.
gv9t1s.
N沟道FET
重庆平威企业有限公司 PS10100LT系列 PS10100LT系列

PYJGIBC公司
电源整流器
线性技术 LT9B32型 GBP810

鲁中尉
+ 9B32 -
桥式整流器

表1 Oppo Reno Ace充电器设计获胜

电力集成的X射线分析SC1923器件显示,它包含四个安装在传统的塑料引线框架表面安装封装中的四个单独的模具。解封装表明,该装置包含表2中列出的四个模具.DX101C1和DX121C是栅极驱动ASIC模具,SB190C是GaN电源FET,DX120B3是驱动GaN动力FET的Si MOSFET。共源共栅配置。

Figure 4 Power Integration SC1923C Package X-Ray

Figure 4 Power Integration SC1923C Package X-Ray

制造商 零件号 突出的标记
Power Integrations Inc DX101C1型 [logo]商标
(m)(c)2018
DX101C1型
Power Integrations Inc SG190C. [logo]商标
(c)(m)2018
SG190C.
Power Integrations Inc DX120B3 DX120B3
[logo]商标
2017
(c) (米)
Power Integrations Inc DX121C. [徽标] TM(m)(c)
2018
DX121C.

表2电源集成SC1923模具

SG190C管芯的高分辨率照片如图5所示,具有所示源极,漏极和栅极焊盘的位置。这一骰子几乎肯定用电力集成制造波维根过程。显然,电力集成公司在2010年开始开发这一流程,当时他们收购了Velox半导体. 图6所示的SG190C芯片的横截面分析揭示了在蓝宝石衬底上的GaN上制造的三铝金属工艺。在电力电子市场上,蓝宝石衬底的使用是不寻常的,因为大多数供应商都在硅衬底上使用GaN。蓝宝石(Al2O3)衬底的优点很可能是具有更简单外延生长要求的更高质量GaN材料,尽管具有更高的初始衬底成本。氮化铝(AlN)栅极电介质可能用于金属栅极下方,与常开(耗尽模式)操作一致,如预期的共源共栅配置。

图5电源集成SG190C GaN模具

图5电源集成SG190C GaN模具

图6:SG190C GaN在蓝宝石晶片上的电源集成总体结构

图6:SG190C GaN在蓝宝石晶片上的电源集成总体结构

TechInsights现在已经确定了三种不同USB充电器设备中的电源集成设备。anker 30 w powerportAtom PD 1发现充电器包含带有SG250F Gan-On-Sapphire Die的电源集成SC1933C设备。发现Aukey PA-U50充电器的一个版本包含电源集成Inn3166C设备。Inn3166C不含GaN的模具。好奇地,早期版本的奥基PA-U50was found by ourlab包含Navitas NV6252设备。最后,这里讨论的VCA7Gach包含基于SG190C GaN的设备。

TechInsights最近购买了电源集成的样品INN3370C-H302-TL酒店InnoSwitch3-Pro Family Digitally Controllable Off-Line CV/CC QR Flyback Switcher IC. Comparison of the package X-ray images followed by decapsulation of this device shows that the SC1923 found in the VCA7GACH charger from the Oppo Reno Ace can be identified to be the same as the INN3370C-H302-TL we procured.

电力集成市场策略显然偿还,它们几乎肯定是在USB适配器市场中应用GaN的设备的领导者之一。10月,他们claim已经通过了一个里程碑,已经向Anker运送了100多万个GaN基设备。

对新出现的电力过程半导体产品进行定期,简化分析

基于事实的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)和硅(Si)的创新,竞争利用硅(Si)的新出现功率半导体技术分析。

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