一个新的和先进的ReRAM来自富士通
我们一直在分析富士通半导体的一款新的ReRAM产品。富士通8mb MB85AS8MT是世界上密度最大的独立量产ReRAM产品。MB85AS8MT是一种具有spi接口的非易失性新兴存储器,可在从1.6V到3.6V的广泛供电电压范围内工作。这个ReRAM内存的一个主要特点是,在典型的5mhz工作频率下,读操作的平均电流非常小,为0.15mA。富士通采用了一种新的45nm CMOS工艺,与他们之前的MB85AS4MTPF ReRAM产品(使用了180 nm CMOS工艺和4mb模具)相比,该工艺具有更小的模具尺寸和更高的存储密度。
富士通,松下,对话(adesto),横梁,台积电,联盟和英特尔是皇家市场的领先球员,估计将来以大幅增长。对话框(Adesto)RERAM产品,CBRAM所谓的,RM33系列我们在几年前分析的TechInsights使用了130 nm CMOS过程,该过程是最小的技术节点和单元格(0.496μm2),但富士通现在生产的rairam产品的45纳米节点....
Jeongdong Choe博士,高级技术研究员
Jeongdong Choe博士是TechInsights的高级技术研究员。他在半导体行业、DRAM、NAND/NOR FLASH、SRAM/Logic和新兴存储器的研发和逆向工程方面拥有近30年的经验。乐动篮球快讯他在SK海力士和三星电子工作了20多年。他加入TechInsights,一直专注于半导体工艺、设备和架构的技术分析。他撰写了许多关于内存技术的文章,包括DRAM技术趋势,2D和3D NAND工艺/设备集成细节,以及新兴内存,如STT-MRAM, XPoint, ReRAM和FeRAM的设计和架构。他每季度生产和更新广泛分布的DRAM、NAND和新兴存储器的内存路线图。