NAND记忆技术Micron B47R 3D CTF CuA NAND模，世界上第一个176L（195T）！
Micron的176L 3D NAND是世界上第一个176L 3D NAND闪存。TechInsights刚刚发现512GB 176L模具（B47R模具标记），并快速查看了其过程，结构和模具设计。Micron 176L 3D NAND是迄今为止最突破性的技术之一，尤其适用于数据中心，5G，AI，云，智能边缘和移动设备等存储应用。Micron已经宣布其性能改进，例如，从96L FG CUA的35％以上，读取延迟和写入等待时间超过35％，从128L CTF CUA增加了25％。
TechInsights的NAND & DRAM内存专家一致认为，176层NAND通用闪存(UFS)展示了广泛的系统设计应用，如:
- 高端旗舰手机
- 移动设备所需的高容量，表格较小的因素
- 专业工作站
- 超薄笔记本电脑
- 5 g网络速度
下载美光176L 3D NAND产品简介
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TechInsights'逆向工程实验室在176层NAND通用闪存存储（UFS）3.1移动解决方案
我们拆下了美光3400 1TB SSD (PCIe Gen-4 cSSD NVMe 1.4)，得到了MT29F4T08EQLEEG8-QB: E (FBGA代码:NY124)。2个512Gb的设备封装在1TB SSD的单板上。3400 SSD采用美光最新的内部SSD控制器DM02A1，不同于之前的2300 SSD (96L)和Crucial P5的DM01B2控制器。
美光176层NAND通用闪存模具级成像和规格
图1.微米176L 512GB TLC模具图像;顶级金属观察和CUA（添加了模具标记）
图1显示了顶部金属观察模具，CMOS电路视图模具和B47R模具标记。与先前的128L CTF CUA 512GB B37R TLC模具相比，由于较高的细胞密度，增加的3D NAND单元数，以及有效地，芯片尺寸增加了25％，并且有效地，页面缓冲器/字线开关设计缩放。
176L 3D NAND是美光公司的第二代CTF结构。NAND细胞阵列高度(从源侧选择器到BL的高度，用于比较)现在已经超过11µm。盖茨总数包括选择器(STs)和虚拟字线(设计水线)垂直NAND串是195,195 t所谓,这是有史以来最多3 d NAND(图2)。他们一直双栈的架构,replacement-gate过程,氮化充电器陷阱(卡通),CMOS-under-Array (CuA)技术。
3D NAND市场领导者和设备的特性比较
图2. 3D NAND播放器和设备的盖茨总数的比较
位密度达到10.273 gb / mm2与之前的128L 512Gb TLC模具相比，512Gb TLC模具的尺寸大幅缩小(B37R模具标记，7.755 Gb/mm)2，请参阅Techstream Memory Blog;https://app.techinsights.com/blog-post/2070有关更多详细信息）。这是世界上第一个TLC Micron 512GB TLC NAND芯片尺寸。
微米128L与新的176L细胞结构和位密度
图3。微米512Gb TLC NAND模具尺寸和钻头密度趋势，高达176L
与Micron 128L相比，新的176L电池结构由两个面板组成，每个面板有88个WLs。BEOL和CuA的互连金属和触点/通道均为128L，垂直通道(VC)孔高度增加到10.6µm。WL和BL方向的3D NAND单元细胞大小保持在0.02µm2，单位细胞体积略有下降，为1.12 × 10-4µm3.由于较小的浇口间距（表1）。
| 设备 | 微米128L 512GB. | 微米176 l 512 gb |
|---|---|---|
| 父产品EX。 | 关键BX500 SSD （2021） |
Micron 3400 1TB SSD （2021） |
| 过程(存储) | 钢管(卡通) | 钢管(卡通) |
| 运作 | 薄层色谱 | 薄层色谱 |
| 模糊标记 | B37R | B47R |
| 芯片尺寸 | 66.02毫米2 | 49.84毫米2 |
| 位密度 | 7.76 Gb /毫米2 | 10.27 gb / mm2 |
| #总门(垂直) | 147吨 | 195吨 |
| #活动WLs | 128 | 176 |
| #甲板 | 2 | 2 |
| # WLs分配 | 64 + 64. | 88 + 88 |
| #金属 | 6（4W，1CU，1AL） | 6（4W，1CU，1AL） |
| CMOS架构 | CUA. | CUA. |
| 晶胞尺寸 | 0.020µm2 | 0.020µm2 |
| 晶胞体积 | 1.14 x 10.4µm3. | 1.12 x 104µm3. |
| VC高 （包括选择者） |
8.5µm | 10.6µm |
表1.器件特性的比较表，Micron 512GB 128L与176L
随着盖茨细胞数量的增加超过150 l,我们期望有很多挑战,例如,选择图层叠加(模具层),王楼梯优化、垂直通道孔HAR蚀刻和退化层过程中,小野,甲板不重合,牺牲层去除,更换门填补,CSL沟剖面,薄片弯曲,以及相关工艺的均匀性。我们会仔细检查并追踪所有成功商业化的176L设备。
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