2021年3月23日
博士博士选择Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用
我们刚刚发现了一个新的XL-Flash产品，具有来自Kioxia的96L BICS4 NAND Cell架构。根据Kioxia的说法，XL-Flash是极低的延迟，高性能闪存，基于3D BICS NAND架构和技术。与Samsung Z-NAND（Z-SSD）一样，它旨在解决现有DRAM和NAND闪存之间的性能差距，这意味着XL-Flash被分类为存储类内存（SCM）。三星已经推出了一些用于超低延迟应用的Z-SSD产品，983个Zet和SZ985，内置于具有单级单元（SLC）模式的改进的3D V-NAND设计。
Kioxia XL-Flash的关键特性包括128 GB模具，SLC模式，16个平面模具设计，兼容的Flash协议和4KB页面大小，适合在内存层次结构中的SCM应用程序。我们已经分析的Dapustor H3900是企业SSD（ESSD）产品之一，HAISHEN3-XL，基于Kioxia XL-Flash技术。H3900 SSD用于SCM，如数据高速缓存和加速，内存数据库，AI和大数据，类似于Intel Optane存储和Samsung Z-SSD的位置......
博士博士选择，高级技术研究员
济东博士是TechInsights的高级技术研究员。他在DRAM，NAND / NOR闪存，SRAM /逻辑和新兴记忆中拥有近30年的半导体行业，R＆D和逆向工程经验。乐动篮球快讯他为SK Hynix和Samsung Electronics工作了20多年。他加入了TechInsights，并一直专注于半导体过程，装置和架构的技术分析。他在内存技术中写了许多文章，包括DRAM技术趋势，2D和3D NAND流程/设备集成细节，以及STT-MRAM，XPoint，Reram和Feram设计和架构等新兴内存。他季刊在DRAM，NAND和新兴记忆中产生了广泛的分布式内存路线图。
