存储器技术趋势与挑战

最近，TechInsights主办了一场内存网络研讨会，TechInsights的高级技术研究员Jeongdong Choe博士讨论了DRAM和NAND器件的最新内存技术趋势和挑战。

DRAM电池缩小到10纳米设计规则(D/R)一直在进行中。主要DRAM厂商一直在开发所谓的D1b、D1c等下一代DRAM。这意味着DRAM电池的D/R有可能进一步缩小到个位数纳米时代。最近，由于工艺集成、泄漏和传感裕度等多重挑战，DRAM单元的扩展速度已经放缓。在最先进的DRAM产品中，可以看到诸如高k电容介电材料、支柱电容器、隐窝通道晶体管和高k金属栅(HKMG)外围晶体管等创新技术。

在NAND领域，制造商继续向3D NAND垂直门数竞争，以提高存储密度。他们已经计划了下一代3D NAND产品，包括232L/238L，甚至更高到4xxL甚至8xxL。到目前为止，5种不同类型的3D NAND架构是主流，如V-NAND、bic、CuA、4D PUC和xtack。

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