2017年5月18日
特约作者:崔正东，高级技术研究员
图1：xpoint内存包
图2:Xpoint内存模块(16gb)
TechInsights最近获得并拆卸了英特尔Optanetm M.2 80mm 16GB PCIe 3.0，并在包中发现了3D X点内存芯片。这是来自英特尔和微米的第一个商业3D XPoint产品。英特尔3D X点存储器封装尺寸为241.12 mm2（17.6 mm x 13.7 mm）和单个X点内存芯片包含在内。3D X点内存管芯测量206.5毫米2长16.16毫米，宽12.78毫米。该芯片的存储效率为91.4%，高于三星3D 48L V-NAND(70.0%)和英特尔/美光3D FG NAND(84.9%)。3D Xpoint Memory的内存密度为0.62 Gb/mm2这低于商业2D和3D NAND产品（2.5 GB / mm2对于东芝/ SanDisk和三星3D 48L TLC Nand，1.28 GB / mm2适用于Toshiba/SanDisk 2D 15nm TLC NAND)。但是，与DRAM产品相比，3D Xpoint的密度是相同20nm技术的DRAM产品的4.5倍，是三星电子1x nm DDR4的3.3倍。Xpoint Memory产品为WL和BL使用20 nm技术节点，0.00176µm2细胞大小为DRAM单元尺寸的大约一半。这是由于可堆叠的存储器单元和4F2而不是6F2用于存储器单元阵列设计。
产品信息：英特尔3D XPoint分析报告
本产品简介总结了我们打算建立的可交付成果以及对部件的技术相关性的一些额外评论。
图3:x点存储阵列x截面SEM和TEM图像
Intel Xpoint Memory是一种PCM (Phase Change Memory)，具有金属4和金属5之间的双存储选择堆叠存储单元。gst基材料用于存储，而As(砷)掺杂的硫系材料(Se-Ge-Si)用于选择器，As可能用于抑制结晶。这可能是一种Ovonic阈值开关(OTS)结构。我们发现3D Xpoint存储层被放置在金属4和金属5之间，并与金属4上的几个选择器接触插头连接。我们将更深入地挖掘设备，以发现更多的创新技术，我们将在不久的将来与你们分享。
