发布时间：2017年5月16日
3D XPoint技术在2015年8月由英特尔和Micron推出，在25年以上，创建了第一个新的内存类别。当英特尔宣布基于3D XPoint技术的存储产品的Optane品牌时，它将首先在2016年开始新的高度耐力，高性能英特尔SSD。
XPoint, a phase change memory (PCM) from TechInsights materials analysis, is a non-volatile memory (NVM) technology. Bit storage is based on a change of bulk resistance, in conjunction with a stackable cross-gridded data access array. Price is intended to be less than dynamic random-access memory (DRAM) but more than flash memory.
我们开始对英特尔3D XPoint进行了分析。
Two Advanced CMOS Essentials (ACE) Reports
这ACE deliverable provides timely competitive benchmarking information and enables cost-effective tracking of technical innovation across a breadth of competitors.
结构分析（DSA）
Our Structural Analysis report provides industry leading structural analysis of state-of-the-art memories.
Process Flow Analysis
从ACMOS ACE报告数据库中的图像和材料分析重建过程流程。
晶体管表征报告（TCR）
我们的晶体管特性报告分析了逻辑NMOS和PMOS晶体管的直流电特性。
电路分析
该报告包含一整套示意图和带注释的照片，分为以下几个部分（体系结构概述、内存阵列和外围设备、地址路径、数据路径、控制块、电压发生器系统、符号定义、主要发现、标准单元、信号列表）
本产品简介概述了我们打算构建的可交付成果，以及对零件的技术相关性的一些附加注释。
