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迪克·詹姆斯是半导体行业近50年的老手，从事半导体器件的工艺开发、设计、制造、封装和逆向工程。Dick是TechStream博客内容的固定贡献者。乐动篮球快讯
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2020年9月25日
最近英特尔架构日Ramune Nagisetty透露，英特尔一直在开发混合键合技术，以超越已经投产的EMIB和Foveros技术。
这意味着三大芯片制造商中有两家已经推出了混合键合技术——台积电（TSMC）几年前宣布推出SoIC平台。三星是Xperi许可证持有人，但我们不知道这是否包括他们的DBI®混合键合。
混合键合技术在索尼从Ziptronix（现在是Xperi的一部分）获得Zibond技术许可后进入批量生产，并在大约五年前将其引入使用堆叠传感器和图像处理器的CMOS图像传感器（CIS）中。Zibond最初是一种专注于氧化物/氧化物界面的晶圆/晶圆键合技术，但后来发展到包括铜/铜直接键合，Xperi将其更名为直接键合互连（DBI®）。并不是所有的公司都使用Xperi的许可技术，因此使用铜/铜互连的面/面晶圆键合的行业术语变成了“混合键合”（HB）。现在几乎所有的堆叠式CIS制造商或其铸造厂都有HB可用。同时，该工艺已发展到提供>4µm的键间距和>2µm的焊盘直径。
