罗姆的第四代SiC MOSFET:最低的阻力
新的第四代SiC mosfet具有行业最低的阻力
罗姆是全球领先的电力半导体器件制造商之一,并释放他们的第四代碳化硅(SiC) MOSFET一直备受期待。
MOSFET在我们的实验室,我们惊讶地发现我们曾经遇到的最深的海沟SiC设备。根据我们的估计,罗姆已经设法创建一个战壕几乎2 x更深的比我们在SiC之前看到。
蚀刻战壕在碳化硅是出了名的困难。在这个设备,周围的p型掺杂source-trench创建额外的屏蔽高领域的栅氧化层(提高可靠性)和使致密细胞包装(减少螺距)。
罗姆声称取得了开关损耗降低50%在他们的上一代通过显著减少寄生电容。改进的沟结构有助于实现行业特定的最低的阻力。
图1:罗门哈斯的第四代SiC MOSFET
下面是一个高级的总结我们的研究结果:
- 新的第四代SiC mosfet具有行业最低的阻力
- 罗门哈斯SCT4045DEC11 Gen4 45 mΩ750 V
- 特定的导通电阻(R最低DS(上)*一个)在市场上
- 高各向异性源海沟~ 2.5:1的比例
- p型植入在整个源沟地区
- 减少细胞间距从上一代的3倍
罗门哈斯的第四代SiC MOSFET
TechInsights颠覆性技术
下载产品短暂的更多细节,并对高分辨率图像显示沟结构注释。
