内存技术的不断演进的景观

内存技术景观不断演变。DRAM和NAND闪存的需求一直在稳步增加记忆和新兴市场如STT-MRAM ReRAM,极化,FeRAM, 3 d XPoint记忆预计到2030年将达到360亿美元。随着新兴内存制造商竞赛设备扩展之前,他们将面临诸多挑战。

由博士Jeongdong崔承哲,TechInsights高级技术研究员,2022年及以后内存技术电子书是TechInsights年度见解的一部分内存技术。它探讨了内存技术的发展、趋势和即将到来的挑战以及市场参与者是如何努力保持领先地位。

DRAM技术、趋势和挑战

从市场参与者发现DRAM的路线图。学习微米之间的差异、三星和SK海力士DRAM单元设计,和深入研究未来创新。

3 d NAND闪存技术、趋势和挑战

探索的最新进展主要与非制造商目前工作,并深入研究设计创新采用了迄今为止成功产品化的原型。窥视3 d之间的差异与非设计的三星、英特尔和其他市场参与者。

新兴的技术趋势和挑战

发现新兴进化的记忆和对未来它将意味着什么。查看新兴记忆路线图突出STT-MRAM极化/ XPoint ReRAM / CBRAM FeRAM,和嵌入式DRAM和闪存,球员的发展领域如Everspin、三星、台积电,Adesto等等。

将电子书下载到最新了解更多关于这些主题和其他内存技术的发展。