对新兴的电力半导体产品进行定期、简洁的分析。
半导体工业正在开发新的功率处理技术，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），它们体积更小、效率更高、损耗更低、击穿电压更高。
Silicon (Si) offerings in this space are very mature, but we continue to see noteworthy innovations. This subscription-based service provides you access to our analysis on these cutting-edge products.
TechInsights的电力订阅产品提供了对新兴电力半导体产品的洞察，因为它们进入了大批量应用的量产阶段。
可用功率半导体订阅
电源设备（PEF）
包括：
- 年度目标
- 10份PDF报告及支持图片
- 分析报道
- 设备指标和显著特征
- 包装x光片和模具照片
- 扫描电镜平面图图像和横截面扫描电镜图像
- 横截面TEM图像与材料分析
- 分析员管理
- 三年度分析师简报
- Annual patent landscape summary
- 年度研讨会
- 实时更新
- 在发布项目进展（产品环境足迹报告、分析师简报等）之前访问项目进展
碳化硅（SiC）工艺流程
包括：
- 工艺流程分析（PFA）
- 显示流程架构、掩码列表和集成级流程步骤的报告（目标：每年4个）
- 工艺流程全仿真（PFF）
- 扩展了PFA报告中提供的详细信息
- 布局GDS完全分解为过程层
- 提供的PDF报告是使用Synopsys Process Explorer构建的
- 在Synopsys中操纵报告数据（需要Synopsys许可证）
- 带支持图像的流程全仿真报告（目标：每年4个）
- 分析师
- 设计技术互动分析
- 从晶圆输入到晶圆输出的过程集成的详细说明
- 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
- SEM和TEM横截面和俯视图图像\层注释，特定过程模块，假设
碳化硅（SIC）Placeplan（PFR）
包括：
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备标识：选定的拆卸照片（可选）、包装照片、包装X光片、模具照片，包括模具角和焊盘，以及延迟模具照片
- 工艺分析：显示模具厚度的模具边缘，晶体管门阵列边缘或模具密封，晶体管门阵列概述/细节
- 排样分析：带注释的延迟模具照片，模具使用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 封装和模具图像
- 扫描电镜横截面图像
- 支持CircuitVision的顶部金属和栅极级/衬底图像
- 15份报告/年
氮化镓（GaN）平面布置图（PFR）
包括：
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备标识：选定的拆卸照片（可选）、包装照片、包装X光片、模具照片，包括模具角和焊盘，以及延迟模具照片
- 工艺分析：显示模具厚度的模具边缘，晶体管门阵列边缘或模具密封，晶体管门阵列概述/细节
- 排样分析：带注释的延迟模具照片，模具使用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 封装和模具图像
- 扫描电镜横截面图像
- 支持CircuitVision的顶部金属和栅极级/衬底图像
- 15份报告/年
可用的自定义服务
- 产品拆卸
- 电力电子产品产品拆除详细分析
- 电源流程流程
- 工艺流程模拟（工艺步骤、工具类型、材料）
- 根据具体情况确定工作范围；与我们讨论自定义选项
- 包装分析
- 详细封装分析、横截面封装分析、SEM成像、SEM-EDS材料分析
- 电学特性
- 传输特性（IDVG）、输出特性（IDVD）、RDSON、击穿电压
- 选区电子衍射
- GaN基外延层的TEM基SAED
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