定制内存分析以满足您的需求
巨大的前期研发投资要求客户拥有最新、准确的竞争情报
Our analysis quantifies the unknown to help you make informed decisions. We can determine what it will cost to bring advanced memory to market, we research potential market challenges to help you determine what your risks are, and we help define your de-risking strategy.
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TechInsights Memory产品的开发是为了根据您的行业和角色提供您所需的重点技术情报。
DRAM功能分析(MFR)
包括:
- 图像集支持的执行摘要
- 工艺节点及铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块摘要
- 堆叠光学金属和多晶硅模具照片在CircuitVision中提供。包括校准测量和注释工具
- 扫描电镜横截面和斜面成像
- 13-15 reports/year
DRAM:SWD与感测放大器晶体管特性
包括:
- 晶体管特性报告(TCR)
- Universal curves for IOFF vs. ION and IOFF vs. ID, LIN derived from
- 5 NMOS and 5 PMOS sub wordline driver transistors, across multiple VDD at 85°C
- 5个NMOS和5个PMOS感测放大器晶体管,在85°C下跨多个VDD
- For each universal curve data point
- Transistor Characteristics: ID,坐,我D,林,我远离的,五T,林&五T,坐,ΔVGS公司,克m, SS, DIBL
- 输出特性
- Universal curves for IOFF vs. ION and IOFF vs. ID, LIN derived from
- 分析覆盖率
- 4份报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
NAND功能分析
包括:
- 分析覆盖率
- 图像集支持的执行摘要
- 工艺节点及铸造标识
- Critical Dimensions
- 功能块摘要
- CircutVision提供的堆叠光学顶部金属和多晶硅照片,包括校准的测量工具
- SEM cross-sectional imaging
- 13-15 reports/year
- 图像集支持的执行摘要
NAND内部波形分析
此通道检查在程序、读取和擦除周期中NAND存储单元上使用的波形。
- 在12个月的时间内提交8份报告以及一次在线研讨会
- 提供波形摘要PDF和原始波形.sht文件,使客户能够执行进一步的分析和测量
工艺流程
*需要高级进程订阅
包括:
- 工艺流程分析(PFA)
- 显示流程、体系结构、掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
- 8内存/年
- 工艺流程全仿真(PFF)
- PFA内容可能会更新
- Layout GDS fully decomposed into process layers
- 3D Emulation
- Synopsys输入(路由层甲板)*
*需要Synopsys许可证才能查看和修改 - 6内存/年
- 分析覆盖率
- 单元设计技术交互分析
- 从晶圆输入到晶圆输出的过程集成的详细说明
- 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
- SEM和TEM横截面和顶视图图像
- 图层注释、特定流程模块、假设
- Trend analysis
- +4 hrs support
嵌入式和新兴功能分析(MFR)
包括:
- 分析覆盖率
- 专注于前沿的嵌入式和新兴存储技术
- 图像集支持的执行摘要
- 工艺节点及铸造标识
- Critical Dimensions
- 功能块摘要
- CircuitVision中提供的堆叠光学顶部金属和多晶硅照片商标
- 扫描电镜斜面
- SEM cross-sectional imaging
- 4份报告/年
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