颠覆性技术：TSMC 22ULL EMRAM
TSMC 22ULL EMRAM DIA从Ambiq™Apollo4上删除了另一个嵌入式内存的中断技术！嵌入式内存（Ememory）的另一个破坏性产品已到达并快速审查！TSMC已成功开发和商业化22纳米EMRAM产品，具有STT-MRAM技术和
Micron 176L 3D NAND
NAND记忆技术Micron B47R 3D CTF Cua Nand Die，世界上第176L（195T）！Micron的176L 3D NAND是世界上第一个176L 3D NAND闪存。TechInsights刚刚发现512GB 176L模具（B47R模具标记）并快速查看其工艺，结构和模具设计。Micron 176L 3D NAND
美光DDR5内存技术
DRAM内存技术中断产品：第1个DDR5 DIMM哪个技术节点？DDR5是一个新一代的记忆！所有主要的DRAM播放器都向前移动到更快的DRAM DDR5。DDR5也可提高电源管理（DDR4的1.1V与1.2V）。DDR5 DIMM产品之一已得到确认
Micron1αDRAM技术
DRAM记忆技术微米D1α，'14 nm'！DRAM上最先进的节点！D1α！这是14纳米！在微米D1α模具（模具标记：Z41C）和细胞设计上快速查看后，它是最先进的技术节点在DRAM上。此外，它是第一次级15nm细胞集成的DRAM产品。微米Z41C
高通骁龙888在小米Mi 11带来了一个新的5纳米进入市场
随着Snapdragon 888的发布，高通发现自己在与其他5纳米产品——苹果A14和Exynos 2100的竞争。与
索尼D-TOF传感器在Apple的新Lidar相机中找到
苹果的激光雷达相机首次出现在2020年的iPad Pro上;不出所料，我们在10月份的iPhone 12 Pro上看到了同样的部件。业内专家预计，这部分将用于
SK Hynix 128L 3D PUC NAND（4D NAND）
SK Hynix发布了世界上第一个128层（128L）3D NAND，他们已被称为4D NAND。这是他们在单元格（PUC）架构下使用外围建造的第二个NAND一代;第一个是他们的96L NAND。在PUC架构中，外围电路堆叠在细胞下，导致
高通骁龙SDR865收发器分析支持5G sub- 6ghz和LTE服务
Snapdragon 865平台是迄今为止最先进的5G芯片组，适用于5G，Sub-6，MMWAVE和LTE。4G / 5G动态频谱共享，将使“操作员通过使用其现有的4G频谱控股来加速5G部署，以动态提供4G和5G服务。”关键
TechInsights在Samsung Exynos 990中确认三星的真实7LPP进程
去年，三星宣布推出EUV进入EXYNOS 9825中使用的7LPP过程。通过分析，我们在9825年的7LPP过程与Exynos 9820中的8LPP过程之间发现了几乎没有差异。现在，我们很兴奋to say that we have found Samsung’s
最近三星移动射频组件分析
Shannon 5800 55M5800A01随着行业扩大其使用5G，三星继续在移动通信技术领域进行创新，包括RF收发器和MMWAVE的分阶段阵列解决方案以及5G嵌入式移动处理器。TechInsights已经编制了三星的简报
最近的Umiatek移动RF组件和分析
MT6303P AN10516CW 2.95 x 1.74 - 180nm移动射频架构在复杂性中不断增加，以支持多种标准，我们几乎在每几个新手机发布中发现新的移动RF组件。在本写作时，Mediatek拥有全球蜂窝基带的14％
英特尔核心I7-1065G7“冰湖”10 NM 2ND Gen处理器分析
英特尔已将前10名NM 2ND Gen处理器发布为消费品 - 英特尔酷睿I7-1065G7处理器，更好地称为冰湖。戴尔和微软已经宣布将冰湖列入其中一些最新产品。这是英特尔的第一个处理器，内置于它们是什么