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发布:2017年6月13日特约作者:射线今年的方丹IISW十周年这两年一次的会议,与10周年TechInsights出席研讨会。唐Scansen出席了2007年,下
发布:2017年6月07,特约作者:Jeongdong崔承哲,高级技术的图1。比较记忆密度TechInsights继续深入研究过程中,细胞结构和材料的分析英特尔OptaneTM XPoint记忆
发布:2017年6月5日特约作者:Jeongdong崔承哲,高级技术的模具照片SK海力士先后开发了他们的第二代去年21 nm DRAM的技术。低产nm 21日1日代和可靠性问题,意味着他们的
为物联网客户包括处理器和连接芯片和可穿戴设备,主要关注单片机解决方案与集成的收音机。
发布:2017年5月18日特约作者:Jeongdong崔承哲,高级技术的图1:Xpoint内存包图2:Xpoint内存模(16 GB) TechInsights最近收购了,撕下一个英特尔OptaneTM M.2 80毫米作为PCIe 3.0和16 GB
发布:2017年5月16日公布的3 d XPoint技术是英特尔和微米2015年8月,创建第一个新的内存类别在超过25年。当英特尔宣布Optane品牌基于3 d XPoint技术,存储产品
发布:2017年5月11日,索尼移动宣布Xperia xz在移动世界大会在2017年2月。Xperia xz特性1/2.3-inch光学格式,19像素分辨率,Exmor RS“运动眼”相机提供960 fps视频和预测
发布:2017年5月2日特约作者:迪克·詹姆斯,名誉研究员globalfoundries会议期间去年2月,索尼发布了一份新闻稿中描述“行业的第一个3 - layer堆叠CMOS图像传感器和DRAM的智能手机”。已经有
包括32位和64位嵌入式处理器与一至四个CPU核用于网络、汽车、消费设备,工业控制,医疗成像,以及更多。
发布:2017年4月26日,835年高通Snapdragon处理器应用中发现三星Galaxy S8证实是建立在三星10 nm简述过程。首次设备10 nm LPE的高通Snapdragon 835和三星Exynos 9
发布:2017年4月24日特约作者:安迪·魏与第一组三星Galaxy S8拆解,我们现在可以访问第一个soc“10 nm”类的生产技术。第一个10 nm随笔终点是高通
发布:2017年4月20日,高通WTR5975千兆LTE收发器WTR5975 Snapdragon成员835家庭在三星Galaxy S8和是世界上第一个单片机射频集成电路支持千兆类LTE, LTE-U, LAA 5 GHz
