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发布时间：2017年6月7日投稿作者：Jeongdong Choe，Figure 1高级技术研究员。内存密度对比TechInsights继续深入研究Intel OptaneTM XPoint内存的工艺、单元结构和材料分析。我们发现Intel OptaneTM XPoint

发布时间：2017年6月5日投稿作者：Jeongdong Choe，Die Photo SK hynix高级技术研究员，去年成功开发了第二代21纳米DRAM技术。21纳米第一代的低产量和可靠性问题，意味着他们新的第二代21纳米DRAM单元技术

发布时间：2017年5月18日投稿作者：Jeongdong Choe，高级技术研究员图1:Xpoint内存包图2:Xpoint内存芯片（16 GB）TechInsights最近收购并拆除了Intel OptaneTM M.2 80mm 16GB PCIe 3.0，并在包中发现了一个3D X点内存芯片。这是

Posted: May 16, 2017 3D XPoint technology was unveiled by Intel and Micron in August 2015, creating the first new memory category in more than 25 years. When Intel announced the Optane brand for storage products based on 3D XPoint technology, it would first come to market in a new line of high

发布日期：2017年5月11日，索尼移动在2017年2月的世界移动大会上宣布推出Xperia XZs。Xperia XZs采用1/2.3英寸光学格式，19 Mp分辨率，Exmor RS“运动眼”摄像头，提供960 fps视频和预测捕捉。超级慢动作功能

发布时间：2017年5月2日供稿作者：Dick James，去年2月ISSCC会议期间的退休研究员，索尼发布了一份新闻稿，描述了“业界首款3层堆叠CMOS图像传感器，带DRAM，用于智能手机”。有传言说，图像传感器与嵌入式DRAM（到

发布日期：2017年4月26日，在三星Galaxy S8中发现的高通Snapdragon 835应用处理器被证实基于三星的10nm LPE工艺。10nm LPE的首款设备是高通Snapdragon 835和三星Exynos 9应用处理器。我们已经开始行动了

发布时间：2017年4月24日投稿作者：Andy Wei与第一套三星Galaxy S8拆卸，我们现在可以使用“10nm”级技术生产的第一个SOC。首先到达10nm生产线的是基于三星LSI Foundry 10nm LPE的高通Snapdragon 835

发布日期：2017年4月20日Qualcomm WTR5975千兆LTE收发器WTR5975是三星Galaxy S8中Snapdragon 835系列的一员，是世界上第一款支持千兆级LTE、LTE-U和LAA的单芯片RF IC，支持5GHz未授权频段。高度集成的

发布日期：2017年4月7日，更新日期：2017年4月25日我们很高兴地宣布收到我们的Galaxy S8。我们的博客详细介绍了拆卸结果，包括成本观察、10nm LPE工艺验证、对高通公司WTR5975千兆LTE收发器和信封跟踪电源的评论

发布时间：2017年3月3日，更新时间：2017年4月24日任天堂交换机包装星期五是任天堂，乃至整个游戏界的一个重要日子，推出了全新的创新游戏机平板混合产品任天堂交换机。对于有幸得到这款新产品的消费者来说

发布时间：2017年2月10日贡献作者：Ray Angers、Goran Grbic和Martin Bijman Microsoft最近为其云客户推出了一项新服务，为他们的专利侵权诉讼提供保护。TechInsights很早就获得了向微软提供的专利